Показано с 21 по 27 из 27
-
02.06.2016, 07:40 #21
- Регистрация
- 21.08.2013
- Сообщений
- 387
Последний раз редактировалось kachaev; 02.06.2016 в 07:57.
-
02.06.2016, 15:01 #22
- Регистрация
- 26.09.2014
- Сообщений
- 1,135
Обязан он работать на таких частотах или нет - это не твоё собачье дело ! Я тебе предоставил доказательство, что процессор ARM может работать в мобильных устройствах на частотах свыше 3 ГГц - то есть как и любые настольные процессоры ! Причём, это даже при производстве по старому 28 нм техпроцессу ! Так что в этом плане ты со своей неграмотностью в очередной раз опозорился ! Что касается 5 ГГц: когда до твоего тупого мозга дойдёт, что это не для мобильных устройств, а для серверов и другого стационарного оборудования, где нет ограничений по энергопотреблению ! Так что факт доказан, ты просто неуч-балабол, который только и может нести идиотскую чушь и бред !
-
02.06.2016, 15:13 #23
- Регистрация
- 26.09.2014
- Сообщений
- 1,135
-
02.06.2016, 15:25 #24
- Регистрация
- 10.05.2016
- Сообщений
- 37
5ГГц, естественно, нет, а вот 3ГГц - вполне себе реальность. Applied Micro X-gene 3, если ЧО.
Впрочем, это не удивительно, учитывая, сколько всего обычно интегрируется в SOC (и не все оно любит высокие частоты), ну и вопрос с потреблением занимает не последнее место...
Наверное, можно было бы попробвать разогнать ARM-овский чип, но... тут встают два вопроса:
1) гнать ядро это одно, но отреагирует ли обвязка хорошо на это. Там ведь и кэши есть и шина, и все оно может начать терять когерентность при разгоне.
2) даже если появится хорошо гонящаяся обвзяка - речь о том, что нужен чип спроектированный под высокие частоты - минимум паразитных емкостей, короткие интерконнекты и т.д.
-
02.06.2016, 15:27 #25
- Регистрация
- 10.05.2016
- Сообщений
- 37
-
02.06.2016, 19:31 #26
- Регистрация
- 26.09.2014
- Сообщений
- 1,135
Как это не даёт ? 1) Каждый новый техпроцесс даёт увеличение количества транзисторов на площади кристалла. 2) При переходе на более тонкий техпроцесс сокращается длина соединения проводников. Это уменьшает сопротивление и тем самым снижает утечки, что приводит к уменьшению энергопотребления. Ещё благодаря этому можно снижать напряжение питания ядер, так как просадки напряжений под нагрузкой при меньшем сопротивлении тоже будут меньше, а это дополнительно снижает потребление энергии всей схемы. Например, Samsung указывает, что при переходе с 28 на 14 nm техпроцесс энергопотребление снижается на 60%. Ну а TSMC рапортует, что их техпроцесс 16 FinFET Plus даст их партнёрам профит прироста по частотам до 70% относительно 28 nm, или позволит оставаясь на прежних частотах снизить энергопотребление на ту же цифру.
-
02.06.2016, 20:17 #27
- Регистрация
- 21.08.2013
- Сообщений
- 387