Micron на конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) представила новую память NAND, удивляющую своей емкостью и плотностью хранения данных. В презентации Micron явно нацелилась на прямого конкурента Samsung. Память 768 Гбит NAND использует ячейки TLC (Triple Level Cell) с хранением трех бит данных, а также технологию плавающего затвора, известную по планарным дизайнам памяти.
Емкость...
Показано с 1 по 1 из 1
-
08.02.2016, 10:07 #1
- Регистрация
- 06.04.2012
- Сообщений
- 4,766
Micron показала память NAND на 768 Гбит с высокой плотностью хранения