Hardwareluxx > Статьи > Железо > Накопители > Тест и обзор: Samsung SSD 840 EVO на 120, 250 и 500 Гбайт

Тест и обзор: Samsung SSD 840 EVO на 120, 250 и 500 Гбайт

PDFПечатьE-mail
Опубликовано:
Михаил Обер

Страница 2: Samsung 840 EVO в деталях (1)

Плотность записи данных Samsung SSD 840 EVO впечатляет: благодаря памяти TLC мы получаем 128 Гбит на кристалл, с учетом восьми кристаллов на упаковку (чип) у 250-Гбайт накопителя мы получаем всего два чипа флэш-памяти.

Samsung SSD 840 EVO - первый SSD для потребительского сегмента с ёмкостью 1000 Гбайт - если не принимать во внимание специализированные решения в виде массива RAID 0 в одном корпусе и Crucial m500 на 960 Гбайт (тест и обзор), который всё же не дотягивает до магической планки. Конечно, высокого уровня плотности чипов самого по себе недостаточно для высокой ёмкости, контроллер тоже должен быть адаптирован. В данном случае Samsung по-прежнему опирается на процессор ARM Cortex-R4, реализованный в виде контроллера Samsung MEX уже на 400 МГц вместо "всего" 300 МГц у предшественника "MDX". Помимо возможности работы с большим объёмом флэш-памяти, новый контроллер получил в своё распоряжение больше кэша DRAM с большей частотой.

Всё от одного производителя: флэш-память, кэш DRAM, контроллер MEX

Алгоритмы работы с памятью реализованы самые современные, гарантирующее большое количество циклов записи ячеек. Когда на рынок выходила память MLC, то многие специалисты критически о ней высказывались, сомневаясь в долгосрочной надёжности. Существовало мнение, что SSD через довольно короткий промежуток эксплуатации может отказаться записывать данные. Но в данном отношении важнее не количество циклов записи у флэш-памяти, а механизмы работы контроллера, которые позволяют минимизировать так называемое усиление записи (write amplification). Дело в том, что количество данных, записываемых во флэш-память, за немногими исключениями значительно больше, чем объём информации, передаваемый от host-системы на SSD. К сожалению, на твердотельный накопитель нельзя записать один байт информации, запись ведётся только блоками определённого размера, например, 1 Мбайт. И если требуется сохранить несколько байт, то SSD придётся перезаписывать весь блок. Контроллер при этом считывает блок, изменяет в нём нужные байты, после чего записывать блок обратно в память. Подобный цикл так и называется: чтение-модификация-запись.

У 500-Гбайт накопителя (слева) плата по размеру больше.

Приведём некоторые числа: во внутренних тестах флэш-память в накопителях Samsung SSD 840 EVO выдержала 3700 циклов PE (программирование-стирание). Если вы каждый день будете записывать 20 Гбайт данных, что для типичных настольных компьютеров просто огромное количество данных, то с усилением записи 1 мы получим срок эксплуатации 130 лет. Конечно, данный промежуток прогнозируемый, но в реальности вы вряд ли столкнетесь с отказом записи на SSD MLC или SSD TLC.

Samsung также реализовала ещё одну функцию "Dynamic Thermal Guard", призванную продлить срок службы накопителя. Она включает троттлинг SSD в тех случаях, когда температура превышает определённый порок - Samsung указывает его на уровне 70 °C. В обычных условиях эксплуатации подобная ситуация вряд ли возникнет.