Тест и обзор: Samsung SSD 860 QVO - накопитель на памяти QLC, пока довольно "сырой"

Страница 2: Samsung SSD 860 QVO | В деталях

Что не смогла Intel, не смогла и Samsung: мы подразумеваем сочетание технологии QLC и 96-слойной памяти NAND. Похоже, что у всех производителей флэш-памяти NAND наблюдаются проблемы с производством, либо доля выхода годных кристаллов слишком низка для рынка потребительских SSD. SSD 860 QVO, SSD 860 EVO и SSD 860 PRO оснащаются хорошо известной V-NAND v4, а именно памятью 3D NAND с 64 слоями. Разве что емкость ячейки теперь разная.

В других областях мы получаем привычные технические спецификации. Это касается, например, фирменного контроллера Samsung MJX, о котором через год после выхода по-прежнему минимум информации. Контроллер работает с памятью NAND по восьми каналам, поддерживает SATA 6 Гбит/с и кэш LPDDR4. Отметим наличие функций TRIM, AES 256 и TCG OPAL 2.0. Кэш DRAM у Samsung соответствует правилу "1 Мбайт на гигабайт емкости SSD". Соответственно, у 1-Тбайт накопителя мы получаем емкость кэша DRAM 1 Гбайт.

На бумаге один из самых больших недостатков того же Intel SSD 660p - слабая надежность, связанная с низким значением TBW. Причем связано это не только с технологией QLC. Данные ячейки действительно считаются менее надежными, но у некоторых других QLC SSD, представленных фактически параллельно, заявлены более высокие уровни TBW. И SSD 860 QVO принадлежит к последней группе. Впрочем, рекордных значений от Samsung ожидать тоже не приходится. Для 1-Тбайт варианта заявлено 360 Тбайт (720 Тбайт для 2 Тбайт, 1,44 Пбайт для 4 Тбайт), что тоже немного, по сравнению с Intel прирост лишь 80%. Весьма интересно сравнить SSD 860 QVO с ранее вышедшим накопителем SSD 860 EVO на TLC, который технически очень близок. И в случае последнего значение TBW указано на 66% выше - средний уровень среди протестированных SSD.

Но следует помнить, что исчерпание TBW отнюдь не означает, что накопитель перестанет работать. На практике SSD выдерживают намного более высокую нагрузку записи, прежде чем начнут проявляться какие-либо проблемы. Да и гарантия SSD 860 QVO наверняка закончится раньше, прежде чем будет исчерпан TBW. Дело в том, что Samsung дает всего три года, хотя та же Intel расщедрилась на пять лет. Время наработки на отказ (MTBF) составляет привычные 1,5 млн. часов.

Можно не переживать насчет того, что высокие температуры сократят срок жизни ячеек. Как и в случае почти всех 2,5" SSD, низкая производительность и более крупная PCB по сравнению с накопителями M.2 обеспечивает сравнительно небольшую температуру. Под полной нагрузкой последовательной записи пиковая температура составила всего 40°C - такой уровень скоростные NVMe SSD часто показывают во время бездействия. Samsung выставила предельную температуру для троттлинга 70°C, так что по производительности записи падений нет (уровень остается около 500 Мбайт/с).

С накопителем SSD 860 QVO Samsung вновь положилась на кэш SLC. Он призван компенсировать низкую производительность ячеек QLC. Как и в случае родственных моделей EVO, Samsung использует фирменное название технологии Intelligent TurboWrite. Она опирается на две составляющие: стандартный буфер емкостью 6 Гбайт и динамический буфер, который, в зависимости от модели, дает еще 36 или 72 Гбайт.

Samsung не стала менять алгоритм работы по сравнению с SSD 860 EVO. SSD анализирует объем записываемых данных, и если он превышает 6 Гбайт, то резервирует соответствующую емкость. Например, при записи 20 Гбайт сначала будут записаны 6 Гбайт в стандартный буфер, после чего 14 Гбайт - в динамический "резерв". Как показали тесты, не имеет никакой разницы, в каком порядке записываются данные: крупный файл одним куском, два файла (первый по 10 Гбайт, затем второй) или множество мелких файлов. Более важно то, что в случае 1-Тбайт накопителя свободное пространство должно составлять не меньше 168 Гбайт. Только в таком случае все 42 Гбайт SLC-кэша будут доступны; для двух более емких вариантов Samsung пока не представила информации о достаточном свободном пространстве. Алгоритм Intelligent TurboWrite не ухудшает надежность, поскольку количество операций записи из-за динамического кэша не увеличивается.

В тестах мы смогли подтвердить заявленные Samsung значения для 1-Тбайт накопителя. До планки 42 Гбайт SSD 860 QVO записывал данные со скоростью около 500 Мбайт/с (Samsung: 520 Мбайт/с), затем скорость составила от 74 до 81 Мбайт/с (Samsung: 80 Мбайт/с). Если свободная емкость на момент старта записи составляла меньше 168 Гбайт, то скорость начинала снижаться раньше. Разницу между двумя областями кэша (стандартной и динамической) мы не обнаружили, переход плавный.

Несмотря на все параллели с SSD 860 EVO, Samsung указывает иной уровень энергопотребления. Ниже мы приводим значения для модели на 1 Тбайт. SSD в DevSleep потребляет уже 3 мВт вместо 2,3 мВт ранее, режим L1.2 вновь не поддерживается. С другой стороны, в режиме бездействия накопитель потреблял 30 мВт, в отличие от 50 мВт у родственной модели EVO. Что касается операций чтения и записи, мы получаем 2,1 и 2,2 Вт вместо 3 Вт. Но в тестах мы измерили пики до 3 Вт.