Micron на конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) представила новую память NAND, удивляющую своей емкостью и плотностью хранения данных. В презентации Micron явно нацелилась на прямого конкурента Samsung. Память 768 Гбит NAND использует ячейки TLC (Triple Level Cell) с хранением трех бит данных, а также технологию плавающего затвора, известную по планарным дизайнам памяти.
Емкость 768 Гбит или 96 Гбайт на чип дает огромную плотность хранения данных 4,29 Гбит/мм². 256-Гбит 3D NAND от Samsung может похвастаться только плотностью 2,6 Гбит/мм², а у классической планарной памяти она достигает всего 1 Гбит/мм². Но 768-Гбит чип памяти Micron, несмотря на высокую плотность хранения, отнюдь не маленький, площадь составляет 179,2 мм². Samsung 3D NAND 256 Гбит имеет площадь всего 97,6 мм². Но Micron не считает разницу в площади важной на практике – конечно, Samsung все видит иначе.
Память Micron интересна не только высокой плотностью записи, но и высокой производительностью. Micron указывает производительность чтения 800 Мбайт/с, что можно назвать серьезным улучшением по сравнению с памятью Samsung и 178 Мбайт/с. Но по записи память 3D NAND от Samsung работает быстрее, достигая 54 Мбайт/с, память Micron может дать только 44 Мбайт/с. Самым большим недостатком памяти Micron можно назвать сравнительно большой размер блока 96 Мбайт. Частичные операции записи или стирания не поддерживаются. Так что память не подходит для использования в SSD.
Micron ожидает, что память будет дешевле в производстве благодаря технологии плавающего затвора. Samsung использует для своих чипов памяти так называемые ловушки заряда (Charge Traps), которые очень дорого обходятся в производстве. Подобные ловушки не нужны при использовании плавающих затворов. Другие производители работают над емкими чипами памяти на более традиционных технологиях. Так, Toshiba/SanDisk планируют 768-Гбит TLC 3D BiCS, но они будут доступны не раньше конца 2017. На 2018 год запланированы чипы емкостью 1 Тбит. Micron, к сожалению, не поделилась своими планами на будущее.
Samsung верит в 3D NAND
Конечно, Samsung не сидит, сложа руки. Сегодня компания производит память V-NAND из 48 слоев, которая относится уже к третьему поколению. Плотность хранения данных удвоилась по сравнению с предшественником. Конечно, весьма интересны разговоры Samsung о том, что в будущем память будет использовать более 100 слоев. Но на ISSCC корейская компания не представила новых технологий памяти. Samsung верит в успех памяти с вертикальной организацией, на которую она поставила все ставки. Кстати, недавно Samsung заявила о массовом производстве модулей DDR4 емкостью 128 Гбайт.
Обе технологии наверняка найдут свое место на рынке, и память Samsung V-NAND, и планарная NAND Micron, которая должна обходиться дешевле в производстве. Сферы применения памяти разные, так что оба производителя найдут ниши для своей памяти. Samsung доминирует на рынке памяти, захватив 34 процента, Micron может похвастаться только 14,6%, уступив Toshiba и SanDisk.
