Вопреки закону Мура, структура транзисторов в чипах не будет уменьшаться с 2021 года. Причина этому довольна проста: прогрессивное уменьшение транзисторов выливается в огромные суммы. Однако не совсем справедливо будет говорить о том, что закон Мура перестанет работать. Число транзисторов все же будет расти, но производителям гораздо дешевле будет использовать 3D-структуру, чем уменьшать техпроцесс. Использовать стеки транзисторов будет куда более целесообразно с экономической точки зрения для всех производителей чипов.
По крайней мере об этом гласит Международный план по развитию полупроводниковой технологии 2015 (International Technology Roadmap for Seminconductors 2015 или ITRS), который, вероятно, будет последним. Инициатива ITRS была создана в 1998 году для определения стратегии развития всей полупроводниковой промышленности. Однако с тех пор из 19 предприятий по производству чипов осталось всего четыре (Intel, TSMC, Samsung и GlobalFoundries), которые могут общаться напрямую с заказчиками и строить собственные планы. Эти компании не желают сидеть за круглым столом и обсуждать дальнейшие пути развития. Таким образом, инициатива ITRS больше не будет востребована.
Кроме того, значительно изменились отношения на рынке. Если 10 лет назад производители чипов сначала предлагали свои решения, а производители оборудования выстраивали вокруг этого собственные продукты, теперь такие компании, как Apple или Google сами диктуют разработчикам процессоров, как должна выглядеть следующая SoC или другой чип.
В последнем отчете ITRS говорится о том, что применение 3D-структуры приведет к отказу от структуры FinFET. Вместо структуры в виде «плавника» или «ребра», окруженного с трех сторон затвором для контроля напряжения, предложена другая структура транзистора. В новой структуре затвор будет окружать уже четыре стороны транзистора. Тем не менее, для достижения настоящего трехмерного дизайна каналы транзисторов должны располагаться не горизонтально, а вертикально. Кроме этого, кремний заменят другие материалы, например, германий или сплавы из элементов из III и V колонки периодической таблицы.