IBM смогла сделать крупный шаг вперед в производстве чипов по 5-нм техпроцессу вместе с партнерами Globalfoundries и Samsung. Был разработан новый тип полупроводников, который альянс представит на конференции VLSI Technology and Circuits в Киото.
Для 5-нм техпроцесса была разработана полностью новая структура компонентов, которая заменит FinFET через несколько лет. В новом техпроцессе используются слои нанолистов, в которых с помощью фотолитографии с глубоким ультрафиолетом будут создаваться все необходимые компоненты. Транзистор полностью окружен затвором. Данная архитектура так и называется - GAA (Gate All Around). Изначально выдвигались идеи насчет использования нанопроводов, но IBM и партнеры все же решили остановиться на нанолистах.
В современных техпроцессах FinFET до 7 нм канал окружен затвором с трех сторон. Он управляет прохождением электронов через транзистор, выключая или выключая его. Дизайн GAA предотвращает утечки тока и снижает энергопотребление. Также новый дизайн позволяет создавать структуры меньшего размера.
Преимуществом нанолистов является изменяемая ширина транзисторов – в зависимости от требуемой производительности или энергопотребления. Подобный планарный дизайн в случае FinFET не был возможен.
IBM обещает, что 5-нм техпроцесс даст на 40% более высокий уровень производительности по сравнению с 10-нм чипами. А энергопотребление будет снижено на 75%. Смартфон с SoC по 5-нм техпроцессу сможет работать несколько дней без зарядки.