> > > > 3-нм техпроцесс GAA Samsung: первые ASIC для майнинга с MBCFET

3-нм техпроцесс GAA Samsung: первые ASIC для майнинга с MBCFET

Опубликовано:

hardwareluxx news newНа днях Samsung решила привлечь внимание к своему передовому техпроцессу. За последние годы новости здесь были, по большей части, негативными: задержки, низкая доля выхода годных кристаллов, потеря основных клиентов. Но, похоже, Samsung удалось переломить тренд.

Начнем с того, что несколько изданий (Kmib.co.kr и DigiTimes) сообщили, что доля выхода годных кристаллов стала намного выше. Как правило, точное значение доли выхода годных кристаллов хранится в строгом секрете. Но для техпроцесса SF4 (соответствует 4 нм) заявлен уровень выше 75%. По единственному 3-нм техпроцессу на сегодня (SF3E) слухи говорят о 60%. Впрочем, доля выхода годных кристаллов всегда зависит от чипов, которые производятся на конвейере. И для разных дизайнов ее сравнивать не стоит.

В сообщении TechInsights раскрывается, для кого именно Samsung выпускает чипы по техпроцессу SF3E/3GAE. Оказывается, корейский гигант производит ASIC для MicroBT, которые затем устанавливаются в системы майнинга Whatsminer M56S++. ASIC производятся по техпроцессу SF3E, но при этом у них уже используется технология GAA с затвором, окружающим канальную область. Она называется Multi-bridge Channel FETs (MBCFETs) – см. иллюстрацию ниже.

Впрочем, подобные чипы производить сравнительно легко. Площадь кристалла небольшая, структуры простые и повторяющиеся. Здесь проблема больше в эффективности, чтобы выжать максимальные тактовые частоты.

По этой причине такие чипы отлично подходят для тестирования и дальнейшей оптимизации техпроцессов на ранних стадиях. Их даже называют Pipe Cleaner – маленький ершик для чистки курительных трубок. Но в данном случае чипы «чистят» техпроцесс. А уже затем его можно использовать для производства более сложных кристаллов.

Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).