Совсем недавно обсуждалось массовое производство чипов по 14/16-нм техпроцессу, а теперь крупные производители полупроводников говорят о том, что готовы сделать следующий шаг. Однако начать планируется со сравнительно простых структур, чтобы не столкнуться в итоге со многими проблемами в производстве. На конференции ISSCC (Solid-State Circuits Conference) компания Samsung рассказала о производстве 128 Мбит чипов SRAM по 10-нм техпроцессу FinFET.
Согласно Samsung новые чипы будут на 38% меньше, чем те, что изготавливаются по 14-нм техпроцессу. Площадь чипа составит 0,040 мм2 по сравнению с 0,049 мм2 у предшественника. На первый взгляд отличие несущественно, но цифры принимают другое значение, если учесть, что память SRAM может быть использована также в составе SoC и занимать там до 30 % площади. Переход на меньшие структуры позволят также снизить напряжение. Samsung утверждает, что при использовании технологии DTWL для памяти с высоким током заявлено минимальное напряжение 45 мВ, а с высокой плотностью – 130 мВ. Однако производителю все же придется столкнуться с некоторыми трудностями в массовом производстве.
На данном этапе у Samsung существует некоторое преимущество перед другим крупным производителем – TSMC. К этому относится тот факт, что Samsung значительно уменьшил соединения между транзисторами FinFET. TSMC в 16-нм техпроцессе FinFET использует стандартные соединения из 20-нм техпроцесса. Это может объяснить разницу размеров (а также энергопотребления) в SoC A9, которые используются в iPhone 6s и iPhone 6s Plus. Детальный анализ показал, что A9 производства TSMC имеют площадь 105 мм2, а модели производства Samsung – всего 96 мм. Если бы использовался один и тот же техпроцесс, разница не была бы такой заметной. Использование разных соединительных линий может теперь объяснить этот парадокс. Точно так же, в 14-нм техпроцессе Samsung использует те же соединения и транзисторы. С 10-нм техпроцессом будет то же самое, но точные размеры не сообщаются.
В документах, опубликованных Samsung, не уточняется, насколько снизится энергопотребление. Также нельзя наверняка говорить о том, что производство чипов памяти SRAM по 10-нм техпроцессу выльется в производство полноценных SoC по той же технологии. Прозвучала лишь информация о том, что производительность новых чипов увеличится по сравнению с 14-нм чипами.