Компания Samsung объявила о начале серийного производства 10-нм чипов DDR4. Новые чипы DRAM, согласно Samsung, обладают объемом 8 Гбит и они состоят из нескольких слоев, подобно чипам 3D NAND. Компания Samsung стала первым производителем, начавшим массовый выпуск 10-нм чипов. Конкуренты - SK Hynix и Micron - планируют начать серийное производство чипов по 10-нм техпроцессу в текущем году, но позже.
По данным Samsung, новые чипы DDR4 обеспечивают пропускную способность до 3.200 Мбит/с и тем самым они на 30% быстрее предыдущего поколения чипов, которые производились по 20-нм техпроцессу. Кроме этого новые 10-нм модули DDR4 потребляют на 10-20% меньше энергии, что увеличивает эффективность системы. Уменьшение техпроцесса означает для Samsung и то, что с одной подложки теперь можно получить больший выход чипов. По сравнению с 20-нм техпроцессом, выход годных чипов увеличивается до 30%, что уменьшает стоимость производства, соответственно, можно ожидать снижения цен.
Новые 10-нм чипы DDR4 будут поначалу использоваться только в ПК и серверах. Модули для мобильных устройств, например, ноутбуков, по словам Samsung, появятся в течение года.