Samsung сообщила о наращивании производства быстрой памяти HBM2 ёмкостью 8 Гбайт. Компания предлагает чипы HBM2 уже довольно давно, но раньше они были доступны в ограниченных количествах. Благодаря улучшениям в производстве, компания теперь может увеличить объём выхода кристаллов, что позволит удовлетворить потребности большего количества заказчиков.
HBM2 отличается, прежде всего, своей высокой пропускной способностью. Чипы позволяют передавать данные на скорости до 256 Гбайт/с, и поэтому память HBM2 используется в основном в высокопроизводительных видеокартах, к которым относится и AMD Radeon Vega Frontier Edition. Однако до настоящего момента производительность ограничивала сравнительно невысокая ёмкость чипов, но 8-Гбайт стеки должны решить и эту проблему.
При производстве HBM2 используется технология TSV (Through-silicon via). Это значит, что слои кристалла соединяются не проводами, а проводником внутри самого чипа, что позволяет сократить путь прохождения сигнала. Согласно Samsung, в 8-Гбайт чипе используется восемь 8-Гбит слоев, а число соединений TSV насчитывает более 40.000.
Согласно Samsung, производство 8-Гбайт чипов займет более половины объема всей производимой памяти HBM2 уже к первой половине следующего года.