Samsung начала производство чипов памяти DDR4 второго поколения. В пресс-релизе южнокорейского производителя говорится о "технологии 10-нанометрового класса второго поколения", и точный тип структуры чипов DDR4 второго поколения установить невозможно (от 10 до 19 нм).
Ёмкость чипов DDR4 составляет 8 Гигабит на чип. Они превосходят чипы предыдущего поколения по производительности и будут более энергоэффективными. Благодаря оптимизации производства, производительность увеличится на 15%. Если быть точнее, скорость достигнет 3.600 Mбит/с, в то время как у предшественника она составляет 3.200 Mбит/с. Экономия энергии составит 10 - 15%.
Возрос и объём производства. Samsung говорит о том, что за тот же период времени с конвейерной ленты сходит на 30% больше чипов. Таким образом, производственные мощности возрастают, и спрос будет удовлетворяться лучше.
Второе поколение памяти DDR4 заложило основу для грядущих поколений памяти. Samsung заявляет, что теперь DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6 выйдут на рынок быстрее. Прочих деталей компания пока не раскрыла.