В конце мая Samsung объявила первые модули SO-DIMM емкостью 32 Гбайт. Теперь представлены планки UDIMM такого же уровня емкости. Модули UDIMM заявлены на частоте DDR4-2666 и работают от напряжения 1,2 В.
Чипы памяти DRAM изготовлены по техпроцессу 10-нм класса - более подробно техпроцесс не раскрывается. Так что здесь диапазон составляет от 10 до 19 нм. Предыдущие чипы на 8 Гбит Samsung производила по 18-нм техпроцессу, для новых 16-Гбит чипов наверняка можно ожидать техпроцесс с меньшим размером транзисторов.
Новые 16-Гбит чипы и планки UDIMM емкостью на 32 Гбайт позволяют существенно расширить доступную емкость память компьютерных систем. Если быть более точным, удвоить. Материнские платы с четырьмя слотами DIMM обычно сертифицируются на 64 Гбайт, теперь в них можно установить до 128 Гбайт. Да и производители процессоров обычно указывают до 64 Гбайт для своих настольных моделей - просто по той причине, что более высокая емкость DIMM ранее была недоступна.
Если верить Samsung, планки с 16 чипами DRAM намного более эффективны модулей с 32 чипами DRAM, которые тоже позволяют добиться емкости 32 Гбайт. Планки с номенклатурой M378A4G43MB1-CTD на данный момент отгружаются партнерам в качестве семплов. Цены пока неизвестны.