> > > > HBM3E 12H: Micron и Samsung готовы к следующему буму ИИ

HBM3E 12H: Micron и Samsung готовы к следующему буму ИИ

Опубликовано:

hardwareluxx news newВ течение двух дней компании Micron и Samsung независимо друг от друга объявили о скором появлении памяти HBM3E, которая обеспечит как большую емкость, так и более высокую пропускную способность. Обе компании заявляют, что являются пионерами в области технологии HBM3E, но на самом деле оба производителя более или менее равны в таких важных аспектах, как емкость и пропускная способность.

Сейчас производители укладывают 12 слоев памяти DRAM, в результате чего емкость одного чипа достигает 36 ГБ. В случае GPU H100 с шестью чипами HBM емкость может быть увеличена до 216 ГБ. Micron заявляет, что ее собственная память будет использоваться в GPU H200 от NVIDIA - правда, пока в версии на 24 ГБ. Ускоритель H200 представляет собой обновленную версию GPU H100, оснащенную более быстрой HBM3E. Напомним, что ускорители H200 и GH200 были анонсированы с объемом памяти 141 ГБ.

Сравнение GH200, H100 и H200

GH200 GH200 (2024) H100 SXM H200 SXM
Производительность FP64 (GPU) 34 TFLOPS 34 TFLOPS 34 TFLOPS 34 TFLOPS
Производительность FP32 (GPU) 67 TFLOPS
67 TFLOPS 67 TFLOPS 67 TFLOPS
Производительность FP8 (GPU) 3,958 TFLOPS
3,958 TFLOPS
3,958 TFLOPS 3,958 TFLOPS
Производительность INT8 (GPU) 3,958 TOPS 3,958 TOPS 3,958 TOPS 3,958 TOPS
Память CPU 480 GB (LPDDR5X) 480 GB (LPDDR5X) - -
Память GPU 96 GB (HBM3) 141 GB (HBM3E) 80 GB (HBM2E) 141 GB (HBM3E)
Пропускная способность памяти (GPU) 4 Тбайт/с 4,9 Тбайт/с 3,35 Тбайт/с 4,8 Тбайт/с
TDP от 450 до 1.000 Вт от 450 до 1.000 Вт
до 700 Вт до 700 Вт

Если по максимальной емкости чипов памяти Micron и Samsung находятся на одном уровне – 36 ГБ, то по пропускной способности Samsung имеет небольшое преимущество. Здесь она составляет 1.280 ГБ/с, в то время как чипы от Micron могут предложить 1.178 ГБ/с. Однако на практике это вряд ли сыграет какую-то роль.

Sk hynix также планирует предложить более быструю и емкую HBM3E, но здесь сразу планируется до 48 ГБ на чип. Пропускная способность памяти идентична – 1.280 ГБ/с.

Оба производителя приступят к выпуску образцов немедленно. Micron в основном работает с NVIDIA; кому Samsung отправляет свои чипы, неизвестно. Samsung планирует начать массовое производство в конце первой половины года. Одной из возможных областей применения HBM3E с 36 ГБ являются ускорители B100 и GB200 от NVIDIA, которые могут быть представлены этой весной. Их появление в продаже можно ожидать во второй половине года.

Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).