Современные чипы 3D NAND, производимые Micron и Samsung, насчитывают, максимум, 48 слоев. Согласно Toshiba и Western Digital, вскоре ситуация изменится, потому что две компании объявили о запуске пилотного производства 3D NAND с 64 слоями. Производители опираются на технологию BiCS3, которая является наследницей BiCS2 с 48 слоями.
Благодаря большему количеству слоев, плотность записи данных увеличится на 40% по сравнению с блоком с 48 слоями. В это же самое время уменьшится стоимость производства, потому что из одной подложки можно будет изготовить больше чипов. Как и прежде, память будет опираться на технологию TLC и содержать 3 бита на ячейку. В целом, ёмкость чипа составит до 256 Гигабит, то есть она будет сопоставима по ёмкости с 48-слойными чипами V-NAND производства Samsung.
Новые чипы памяти BiCS3 будут изготавливаться на недавно открытом заводе Fab 2. Как уже было отмечено, в настоящий момент производство находится на экспериментальной стадии. Серийное производство запланировано на первую половину 2017 года. Следующим этапом развития будет изготовление на основе технологии BiCS3 памяти QLC, в которой, в отличие от TLC, можно хранить не три, а уже четыре бита на ячейку. Таким образом плотность записи увеличится еще сильнее.