Intel и Micron уже начала продавать первые SSD, основанные на чипах памяти 3D Xpoint, в то время как SSD от Samsungs с чипами Z-NAND всё ещё не вышли. Тем не менее, южнокорейская компания объявила о выпуске первого такого SSD SZ985 и предоставила некоторые технические подробности.
Накопитель SZ985 будет продаваться в качестве карты расширения объемом 800 Гбайт. Благодаря использованию памяти Z-NAND сочетаются преимущества быстрой памяти DRAM и возможности постоянного хранения данных, подобно NAND. Память Z-NAND от Samsung — прямой конкурент 3D XPoint от Intel и Micron. Анонсированный сейчас SSD будет выпущен с интерфейсом PCE Express 3.0 x4. Накопитель должен будет достигать скорости до 3,2 Гбайт/с. Эта спецификация справедлива как для чтения, так и для записи данных. Если говорить о произвольном чтении и записи данных, то в этом случае Samsung говорит о 750.000 IOPS для чтения и 150.000 IOPS для записи.
Если рассматривать данные о производительности Optane P4800X с памятью 3D-Xpoint, то они сильно различаются. Intel заявляет о скорости передачи данных 2,4 и 2,0 Гбайт/с для чтения и записи соответственно, что сильно ниже показателей Samsung SZ985. Но в случае произвольного чтения и записи, производительность Intel постоянна в обоих направлениях и составляет 550.000 IOPS.
Однако задержки также важны. Samsung говорит о 12-20 мкс для чтения и 16 мкс для записи. Intel для своего SSD Optane DC P4800X указывает задержки в районе 10 мкс для чтения и записи.
Несмотря на первоначальные данные о производительности, остаются неизвестными дата релиза и цена первого SSD на базе Z-NAND от Samsung. Поэтому еще предстоит выяснить, будут ли два накопителя отличаться ценой.