Hardwareluxx > Новости > Железо > Жёсткие диски и SSD > Samsung начала серийное производство чипов V-NAND с 96 слоями

Samsung начала серийное производство чипов V-NAND с 96 слоями

PDFПечатьE-mail

Опубликовано:
Марсель Хабер

samsung-hbm2Компания Samsung объявила о начале серийного производства чипов V-NAND пятого поколения. В очередной раз в новом поколении производитель увеличивает количество слоев в микросхеме, предлагая уже 96 уровней, в то время, как у предыдущего поколения их было 64. Увеличение слоев дает увеличение плотности записи на один чип. Однако в самом начале производства будут доступны микросхемы только на 256 Гбит, в то время как предшествующая технология позволяла записывать до 512 Гбит - но причиной тому является постоянное улучшение технологического процесса. В будущем пятое поколение технологии V-NAND позволит записывать до 1 Гбайт на одну микросхему.

В очередной раз Samsung опирается на память TLC с возможностью записи до трех бит в одной ячейке. В будущем производители всё чаще будут использовать технологию QLC, при помощи которой в одной ячейке можно хранить уже до четырех битов. Кроме того, компания использует интерфейс DDR4, который тоже увеличивает пропускную способность. Согласно южнокорейскому производителю, DDR4 позволяет получить скорость до 1,4 Гбит/с, а потолок DDR3 ограничен 1 Гбит/с.

Переход к новому поколению памяти также позволяет снизить задержки. Samsung говорит о том, что задержки при записи сокращаются на 30% до 500 мкс, а при чтении задержки и вовсе не превышают 50 мкс. Наконец, обновление технологии позволяет уменьшить рабочее напряжение с 1,8 до 1,2 вольт.

В конце концов пятое поколение V-NAND снизит стоимость производства чипов, поэтому в долгосрочной перспективе можно ожидать снижения цен на SSD. Кроме того, Samsung является одним из крупнейших производителей компонентов NAND и зачастую сильно влияет на ценообразование в данном сегменте рынка.