SK Hynix продолжает активно развивать технологии флэш-памяти, теперь представлено новое поколение чипов памяти 4D NAND. На данный момент большинство производителей флэш-памяти выпускают стекированную 3D NAND, но скоро может начаться переход на новую 4D NAND. Производитель называет технологию Periphery Under Cell (PUC), что указывает на вынос периферийных цепей под ячейки памяти. Что уменьшает площадь кристалла и снижает себестоимость производства.
SK Hynix указывает, что 4D NAND занимает на 30% меньше пространства. То есть из подложки можно вырезать больше чипов, следовательно, выпускать больше чипов на одном конвейере. В качестве технической основы по-прежнему используется TLC, хранящая три бита на ячейку памяти. Пока не совсем понятно, когда производители перейдут на QLC NAND. Данная технология позволила бы еще сильнее нарастить плотность хранения данных.
Новая память 4D NAND состоит из 96 слоев, емкость составляет до 512 Гбит на чип. Технология призвана увеличить производительность чтения и записи NAND. Вместе с новыми SSD-контроллерами мы должны получить более скоростные накопители.
SK Hynix планирует начать производство первых чипов на технологии 4D до конца года. Но сначала выйдут только семплы, которые SK Hynix предоставит партнерам для тестирования. Пройдет еще несколько месяцев, прежде чем на рынок выйдут первые продукты на основе новой флэш-памяти. Сама SK Hynix планирует начать массовое производство летом 2019. Впрочем, дата может и сдвинуться, если будут обнаружены какие-либо проблемы производства.