Компания SK Hynix в середине ноября объявила о массовом производстве первых чипов памяти на 2.000 МГц, Samsung тоже решила выпустить пресс-релиз, сообщающий о старте производства подобной памяти. Samsung указывает 20-нм процесс без подробностей.
Пропускная способность памяти современных видеокарт критически важна, неслучайно NVIDIA для архитектуры "Maxwell" задействует сжатие памяти. AMD и NVIDIA уже несколько лет экспериментируют над 3D Memory или High Bandwidth Memory (HBM). Обе технологии позволяют поднять пропускную способность памяти с нескольких сотен гигабайт в секунду до теоретического терабайта в секунду. HBM, скорее всего, на первом этапе достигнет 512 Гбайт/с, что примерно в два раза больше, чем у современных видеокарт.
Но до появления HBM и 3D Memory ускорение памяти может дать только повышение частоты. 384-битный интерфейс GPU GK110 и 512-битный у GPU "Hawaii" с новой быстрой памятью GDDR5 на 2000 МГц может дать пропускную способность 384 или 512 Гбайт/с. Общая ёмкость памяти тоже может увеличиться, поскольку отдельные чипы получают ёмкость 4, 6 и 8 Гбит, что соответствует 512, 768 и 1.024 Мбайт.
Поскольку SK Hynix и Samsung вместе владеют подавляющей долей на рынке памяти GDDR5, и в магазине вы всегда можете найти видеокарту с памятью первого или второго производителя, то вскоре новая память появится на high-end видеокартах AMD и NVIDIA.