После того, как на прошлой неделе комитет JEDEC опубликовал спецификации для 2го поколения памяти с высокой пропускной способностью (HBM2), Samsung объявила о начале массового производства чипов HBM2. После SK Hynix компания Samsung стала вторым производителем данного типа памяти. Micron также является сильным игроком на рынке, но американская компания скорее сосредоточится на других технологиях DRAM и работе с Intel над новыми решениями.
Samsung будет производить первые образцы чипов HBM2 по 20-нм техпроцессу, а объем памяти составит 4 Гбайт на чип. Samsung считает чипы памяти HBM2 наиболее современным видом памяти TSV DRAM вместе с представленными в октябре прошлого года моделями RDIMM ёмкостью 128 Гбайт с технологией TSV (TSV значит Through Silicon Via – за подробостями обратитесь к статье «Подробности AMD Fiji: подложка, HBM и GPU»).
Производство чипов HBM2 на заводах Samsung будет выглядеть так: Samsung использует буфер и четыре слоя накопителя, каждый объемом 8 Гбит. 4х8Гбит дают 32.768 Гбит, то есть 4 Гбайт для каждого чипа. Количество каналов TVS в одном слое составит 5000, что в 36 раз больше, чем количество каналов TVS в 8 Гбит чипе DDR4. Этот факт показывает, насколько сложной структурой обладает чип HBM2, в четырех слоях которого будет более 20.000 каналов TVS.
Согласно спецификациям JEDEC, пропускная способность одного чипа HBM2 составит 256 Гбайт/с. Учитывая максимальную плотность чипов памяти на подложке GPU, которая составляет 4 чипа, общая пропускная способность может составить до 1024 Гбайт/с. При использовании GDDR5 этот показатель был 336,6 Гбайт/с, а с первым поколением HBM составил 512 Гбайт/с. Таким образом в новом чипе пропускная способность составит 9 Гбайт/с на контакт, что является беспрецедентным показателям для технологии DRAM.
Уже в этом году Samsung собирается начать производить чипы HBM2 объемом 8 Гбайт. Однако точную дату в компании не называют. В спецификациях JEDEC также присутствует вариант 4х8 Гбайт. В пользовательских видеокартах, как например, GPU Pascal от NVIDIA или GPU Polaris от AMD, мы ожидаем максимального объема памяти в пределах 8-16 Гбайт. В течение года Samsung будет продолжать увеличивать ёмкость чипов HBM2 для соответствия самым смелым требованиям.
Чипы памяти HBM2 от Samsung также поддерживают Embedded ECC. То есть Samsung обеспечивает дополнительные интерфейсы и пространство для хранения кода Error Correction Code (ECC). Если технология поддерживается со стороны GPU, то возможно обнаружение и коррекция ошибок при работе с памятью. Но ECC до сих пор была важна только для научных приложений – например, для профессиональных видеокарт NVIDIA Tesla и Quadro, AMD тоже предлагает поддержку ECC в моделях FirePro.
Подводя итог, можно отметить, что новая технология HBM2 сможет предоставить производителям видеокарт в два раза большую пропускную способность и в 8 раз большую ёмкость.