Вчера Samsung заявила о том, что начала массовое производство своей памяти GDDR6 с пропускной способностью на контакт 18 Гбит/с. Конкурент SK Hynix решил не отставать и тоже заявил о начале поставок GDDR6.
Samsung для самой быстрой памяти GDDR6 указывает пропускную способность 18 Гбит/с на контакт. С 32-битным интерфейсом мы получаем 72 Гбайт/с на чип. SK Hynix в каталоге приводит несколько вариантов. Но если Samsung уже говорит о 2 Гбайт на чип, SK Hynix, похоже, выпускает только 1-Гбайт чипы. Они работают с пропускной способность от 10 до 14 Гбит/с, на чип мы получаем от 40 до 56 Гбайт/с, что существенно меньше варианта Samsung. Для видеокарт с 256, 384 или 512-битным интерфейсом мы получаем пропускную способность от 320 до 896 Гбайт/с. Впрочем, не каждая комбинация емкости памяти GDDR6 и интерфейса имеет смысл. В некоторых случаях на PCB придется устанавливать 16 чипов памяти. Здесь недостатком как раз является емкость чипов SK Hynix, которая в два раза уступает чипам Samsung.
Зато чипы GDDR6 от SK Hynix могут работать более экономично. Версия на 10 Гбит/с может работать на 1,25 В вместо 1,35 В. По всей видимости, будет доступен и вариант 12 Гбит/с, который работает на 1,25 В.
Еще весной 2017 года мы опубликовали первую информацию о памяти GDDR6 от SK Hynix, которая появилась в рамках конференции NVIDIA GPU Technology Conference. Но прошло еще девять месяцев, прежде чем производитель приступил к массовому производству. В то время, кстати, SK Hynix тоже говорила о чипах емкостью 2 Гбайт. Но на данный момент их объявила только Samsung.
Остается открытым вопрос: с чем связана задержка с производством GDDR6. Либо производители, подобные SK Hynix и Samsung, не смогли вовремя выпустить чипы, которые были нужны AMD или NVIDIA. Либо AMD фокусировалась с архитектурой Vega только на память HBM2, а NVIDIA было достаточно GDDR5X даже для high-end игровых видеокарт, и компания планировала использовать GDDR6 только в 2018 году.