На встрече Technology and Manufacturing Group (TMG) Intel поделилась подробностями о грядущем 10-нм техпроцессе, хотя в этом году чиповый гигант планирует представить процессоры на улучшенном 14-нм техпроцессе.
Intel вновь заявила о своей цели опережать конкурентов по техпроцессу производства кристаллов. Особенно это верно для высокопроизводительных крупных чипов, поскольку TSMC и Samsung добились немалого успеха в производстве небольших маломощных кристаллов. Intel продолжает увеличивать плотность расположения транзисторов на квадратном миллиметре. Здесь, похоже, Intel внимательно отнеслась к анализу архитектуры Zen, чипы которой занимают на одиннадцать процентов меньшее пространство.
С новым 10-нм техпроцессом Intel обещает серьезный прогресс в разных областях. В частности, производительность должна улучшиться на 25 процентов, а энергопотребление снизиться в 0,55 раз благодаря уменьшению токов утечки. Intel планирует на шаг дальше, поэтому в перспективе нас ждет и техпроцесс 10 nm++ с дополнительными оптимизациями. С ним Intel обещает далее увеличить производительность на 15 процентов и снизить энергопотребление.
Intel впервые привела некоторые сравнительные характеристики 14- и 10-нм техпроцессов:
14 нм | 10 нм | Прогресс | |
Fin Pitch | 42 нм | 34 нм | x 0,81 |
Min Metal Pitch | 52 нм | 36 нм | x 0,69 |
Cell Height | 399 нм | 272 нм | x 0,68 |
Gate Pitch | 70 нм | 54 нм | x 0,78 |
Dummy Gate | Double | Single | Необходим только один Dummy Gate |
Gate Contact | Std | COAG | Контакт затвора более не планарный |
Intel планирует начать производство опытных 10-нм процессоров во второй половине 2017.