> > > > Intel впервые раскрыла подробности 10-нм техпроцесса

Intel впервые раскрыла подробности 10-нм техпроцесса

Опубликовано:

На встрече Technology and Manufacturing Group (TMG) Intel поделилась подробностями о грядущем 10-нм техпроцессе, хотя в этом году чиповый гигант планирует представить процессоры на улучшенном 14-нм техпроцессе.

Intel вновь заявила о своей цели опережать конкурентов по техпроцессу производства кристаллов. Особенно это верно для высокопроизводительных крупных чипов, поскольку TSMC и Samsung добились немалого успеха в производстве небольших маломощных кристаллов. Intel продолжает увеличивать плотность расположения транзисторов на квадратном миллиметре. Здесь, похоже, Intel внимательно отнеслась к анализу архитектуры Zen, чипы которой занимают на одиннадцать процентов меньшее пространство.

С новым 10-нм техпроцессом Intel обещает серьезный прогресс в разных областях. В частности, производительность должна улучшиться на 25 процентов, а энергопотребление снизиться в 0,55 раз благодаря уменьшению токов утечки. Intel планирует на шаг дальше, поэтому в перспективе нас ждет и техпроцесс 10 nm++ с дополнительными оптимизациями. С ним Intel обещает далее увеличить производительность на 15 процентов и снизить энергопотребление.

Intel впервые привела некоторые сравнительные характеристики 14- и 10-нм техпроцессов:

Сравнение техпроцессов

14 нм 10 нм Прогресс
Fin Pitch 42 нм 34 нм x 0,81
Min Metal Pitch 52 нм 36 нм x 0,69
Cell Height 399 нм 272 нм x 0,68
Gate Pitch 70 нм 54 нм x 0,78
Dummy Gate Double Single Необходим только один Dummy Gate
Gate Contact Std COAG Контакт затвора более не планарный

Intel планирует начать производство опытных 10-нм процессоров во второй половине 2017.