Samsung сегодня является одним из мировых лидеров по производству чипов. Компания не желает сдавать позиции, что видно по опубликованным планам на ближайшие годы. Как можно видеть, производитель только что перешел с 14-нм на 10-нм техпроцесс. Например, чип Exynos 8895 в смартфонах Galaxy S8 уже производится по 10-нм техпроцессу. В результате Samsung удалось увеличить производительность на 27% одновременно со снижением энергопотребления на 40% по сравнению с предшественником.
Как считает Samsung, в будущем гонка техпроцессов немного замедлится. Следующим этапом станет переход на 8 нм. В результате увеличится плотность расположения транзисторов и производительность чипов. Но с нынешними технологиями Samsung не сможет достичь меньших размеров структур, поэтому 8-нм техпроцесс станет последним на текущих технологиях.
Литография EUV начнется с 7-нм чипов
Следующий техпроцесс впервые будет опираться на глубокий ультрафиолет (EUV). Samsung начнет переход на EUV с 7-нм техпроцесса. В остальном будет использоваться нынешний техпроцесс FinFET, в том числе для 6- и 5-нм чипов.
И только с 4-нм чипами техпроцесс будет полностью изменен. С данного поколения Samsung планирует перейти на Multi Bridge Channel FET. Даная технология способна преодолеть физические ограничения FinFET. В качестве основы будет использоваться наноматериал.
Хотя Samsung и представила планы будущих технологий производства, точных дат компания не называет. Поэтому пока нельзя предсказать, когда мы получим первые 4-нм чипы. В любом случае, придется подождать несколько лет.