strangesergey
14.04.2020, 13:26
https://www.hardwareluxx.de/images/stories/2017/mbcfet.jpgSamsung представила технологию Multi Bridge Channel FETs (MBCFET), следующее поколение полевых транзисторов (FET). Они должны преодолеть нынешние физические и электрические ограничения, Samsung планирует внедрить MBCFET в 3-нм техпроцесс с 2022 года. Но первые образцы кристаллов будут изготовлены уже в 2021 году.
Samsung впервые заговорила о данной теме еще в начале 2019, но сейчас корейский...
... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/49391-tekhprotsess-samsung-multi-bridge-channel-fet-3-nanometra-s-2022-goda.html)
Samsung впервые заговорила о данной теме еще в начале 2019, но сейчас корейский...
... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/49391-tekhprotsess-samsung-multi-bridge-channel-fet-3-nanometra-s-2022-goda.html)