PDA

Просмотр полной версии : Samsung разработала изолятор для интерконнекта на основе аморфного нитрида бора



strangesergey
07.07.2020, 12:53
https://www.hardwareluxx.de/images/stories/2017/mbcfet.jpgSamsung анонсировала еще одну новую разработку в сфере производства полупроводников. Аморфный нитрид бора отлично подходит в качестве изолирующего слоя в полупроводниках. Разработкой использования аморфного нитрида бора занимались совместно Институт передовых технологий Самсунг (SAIT), Национальный институт науки и технологий в Ульсане (UNIST, Корея) и Кембриджский университет.
SAIT работает над новыми 2D-материалами многие годы, в том числе и графеном. Некоторые материалы...

... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/49936-samsung-razrabotala-izolyator-dlya-interkonnekta-na-osnove-amorfnogo-nitrida-bora.html)