strangesergey
01.01.2021, 15:14
https://www.hardwareluxx.de/images/stories/2017/intel-2020.jpgНа нынешней конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Intel представила различные разработки в сфере производства полупроводников. И одна из них описывает транзисторы Self-Aligned 3D Stacked Multi-Ribbon CMOS - то есть упорядоченный стек транзисторов с нанолентами. По сути, Intel может теоретически удвоить плотность расположения транзисторов.
Хотя транзисторы современных полупроводниковых чипов уже представляют собой 3D-транзисторы FinFET, расположение на кристалле все равно планарное, то...
... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/50865-iedm-2020-intel-udvaivaet-plotnost-s-pomoshchyu-stekirovaniya-tranzistorov.html)
Хотя транзисторы современных полупроводниковых чипов уже представляют собой 3D-транзисторы FinFET, расположение на кристалле все равно планарное, то...
... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/50865-iedm-2020-intel-udvaivaet-plotnost-s-pomoshchyu-stekirovaniya-tranzistorov.html)