strangesergey
14.12.2021, 17:46
https://www.hardwareluxx.de/images/stories/2017/ibm.pngНа конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) IBM и Samsung представили результаты совместного исследования. Оно посвящено новой форме транзисторов, причем это не транзисторы с окружающим затвором GAA, которые сегодня разрабатывают почти все производители, в том числе IBM и Samsung, а транзисторы FinFET с другой ориентацией.
Транзисторы FinFET формируются таким образом, что они расположены на плоскости кристалла, а электрический ток проходит вдоль поверхности с одного края на другой....
... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/52365-ibm-i-samsung-razrabotali-tranzistory-vtfet-kompaktnye-i-ekonomichnye.html)
Транзисторы FinFET формируются таким образом, что они расположены на плоскости кристалла, а электрический ток проходит вдоль поверхности с одного края на другой....
... читать далее (https://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/52365-ibm-i-samsung-razrabotali-tranzistory-vtfet-kompaktnye-i-ekonomichnye.html)