Samsung наносит ответный удар: QLC с 280 слоями достигает плотности 28,5 Гбит/мм²

Публикация программы Международной конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) раскрывает некоторые подробности о запланированных докладах. Первая информация о более быстрой GDDR7, которая также будет представлена на конференции, была как раз получена из этой предварительной публикации.
Другая презентация также вызывает большой интерес: "A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm² Areal Density and a 3.2Gb/s High-Speed IO Rate".
Как можно видеть,...

... читать далее