Samsung представила технологию Multi Bridge Channel FETs (MBCFET), следующее поколение полевых транзисторов (FET). Они должны преодолеть нынешние физические и электрические ограничения, Samsung планирует внедрить MBCFET в 3-нм техпроцесс с 2022 года. Но первые образцы кристаллов будут изготовлены уже в 2021 году.
Samsung впервые заговорила о данной теме еще в начале 2019, но сейчас корейский...

... читать далее