Samsung представила технологию Multi Bridge Channel FETs (MBCFET), следующее поколение полевых транзисторов (FET). Они должны преодолеть нынешние физические и электрические ограничения, Samsung планирует внедрить MBCFET в 3-нм техпроцесс с 2022 года. Но первые образцы кристаллов будут изготовлены уже в 2021 году.
Samsung впервые заговорила о данной теме еще в начале 2019, но сейчас корейский...
... читать далее
Показано с 1 по 1 из 1
-
14.04.2020, 13:26 #1
- Регистрация
- 29.10.2019
- Сообщений
- 1,414
Техпроцесс Samsung Multi Bridge Channel FET - 3 нанометра с 2022 года