Страница 2: Тестовые системы

Для наших тестов мы использовали те же компоненты, что и в руководстве по разгону CPU.

Мы использовали три наиболее популярные платформы AMD и Intel. Конечно, они различаются процессорами и материнскими платами, но для всех трёх платформ мы использовали общие компоненты. Мы устанавливали видеокарту Gigabyte Radeon HD 7970 GHz Edition, блок питания Seasonic Platinum Series 660W и накопитель OCZ Vector 150, на который инсталлировались все тесты и операционная система Windows 8.1 со всеми обновлениями. Для охлаждения процессоров мы использовали систему водяного охлаждения с замкнутым контуром Cooler Master Nepton 280L. Все процессоры мы немного разгоняли. Они работали с фиксированной частотой от 4,0 до 4,3 ГГц (в зависимости от модели).

Intel X99

Intel Z97

AMD 990FX

  • Процессор: AMD FX-8370e
  • Материнская плата: ASRock 990FX Killer
  • Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
  • Память: G.Skill Ripjaws X, DDR3-2133 CL11 (2x 4 GB)
  • Кулер: Cooler Master Nepton 280L
  • HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
  • Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
  • Операционная система: Windows 8.1

 

Модули памяти

oc guide ram februar2015 03
Модули памяти для тестовой конфигурации X99

С процессорами "Haswell-E" и платформой X99 Intel в конце августа 2014 представила и новый стандарт памяти DDR4 для настольных систем. Для оптимальной производительности на материнскую память следует устанавливать не меньше четырёх планок памяти DDR4. Мы использовали комплект Corsair, который тестировался вместе с процессором Intel Core i7-5960X в нашем обзоре. Из-за высоких тактовых частот комплект Corsair подходит и для разгона памяти.

Планки семейства Vengeance LPX работают от напряжения 1,2 В, теоретически они могут достигать частоты до 2.800 МГц. Модули памяти заявлены с задержками CL 16-18-18-36. Если вы хотите достичь указанных тактовых частот, то CPU Strap процессора "Haswell-E" следует выставить на 125 МГц. Со стандартной частотой 100 МГц встроенный контроллер памяти может работать с максимальной частотой 2.666 МГц. При повышении BCLK следует уменьшать множитель процессора, чтобы не разгонять его. Подробно процесс разгона CPU описан в нашем руководстве.

oc guide ram februar2015 02
Модули памяти для тестовой конфигурации Z97 и 990FX.

Две другие платформы опираются на старую добрую память DDR3 в двухканальном режиме, так что для оптимальной производительности требуются две планки. Мы будем использовать недавно представленные планки памяти Ripjaws-X от G.Skill. Они заявлены с частотой 2.133 МГц и задержками CL11-11-11-30. Напряжение составляет от 1,5 до 1,6 В. В тесте разгона планки памяти заработали и на более высоких тактовых частотах, но нам пришлось увеличить напряжение до 1,65 В.

 

Методика тестирования

Мы тестировали планки памяти на всех трёх платформах, используя разные тесты. Мы провели тесты не только игр, но и архиваторов, утилит для определения пропускной способности памяти и нескольких синтетических бенчмарков. Все тесты мы разделили на две части. На первом этапе мы выставляли задержки на определенном уровне, после чего измеряли производительность. Затем мы увеличивали тактовую частоту памяти при прежних задержках, после чего снова проводили измерения производительности. На втором этапе мы выставили частоту на фиксированном уровне, после чего изменяли задержки памяти.

Это позволило нам выявить преимущества высоких тактовых частот и низких задержек на разных платформах, а также определить прирост производительности.

Для DDR4 мы использовали следующие настройки:

  • DDR4-2400 CL16-16-16-36; 1,2 В
  • DDR4-2133 CL16-16-16-36; 1,2 В
  • DDR4-1866 CL16-16-16-36; 1,2 В
  • DDR4-1600 CL16-16-16-36; 1,2 В
  • DDR4-1333 CL16-16-16-36; 1,2 В
  • DDR4-1866 CL15-15-15-35; 1,2 В
  • DDR4-1866 CL14-15-15-32; 1,2 В

Для DDR3 мы использовали следующие настройки:

  • DDR3-2400 CL11-11-11-30; 1,6 В
  • DDR3-2133 CL11-11-11-30; 1,6 В
  • DDR3-1866 CL11-11-11-30; 1,6 В
  • DDR3-1600 CL11-11-11-30; 1,6 В
  • DDR3-1333 CL11-11-11-30; 1,6 В
  • DDR3-1866 CL10-10-10-28; 1,6 В
  • DDR3-1866 CL9-10-10-28; 1,65 В