Страница 5: Socket 1366, результаты тестов часть 2

Та же самая тестовая конфигурация, но уже с другой системой. Далее мы перешли к эталонной платформе на основе сокета LGA 1366. Тактовая частота Xeon W5590 тоже была увеличена до 4 ГГц, чтобы подчеркнуть разницу по тепловыделению.

Bodenplatte 01
Выпуклое основание кулера хорошо сочетается с вогнутым распределителем тепла CPU, распределение термопасты обеспечивает хороший контакт двух поверхностей

Следует отметить, что процессор имеет отчётливо различимую впадину, которая заметна по сравнению с FX 8120 от AMD.

temps 01 1

Тесты системы Intel, красный - гладкое основание, серый - выпуклое основание.

Углубление на распределителе тепла CPU, выпуклость на основании кулера. Результат оказался очевиден с разницей в один градус. Здесь, опять же, теория была подтверждена практикой. У двух искривлённых поверхностей наблюдается больше контактных точек, площадь соприкосновения увеличивается. В данном случае даже после снятия кулера видно, что термопаста распределяется равномерно, обе поверхности оказываются покрыты тонким слоем. Недостаток, конечно, кроется в том, что плоское основание кулера будет не очень хорошо показывать себя в комбинации с вогнутым распределителем тепла процессора.

plan-intel logo
Рисунок 2. Вогнутый распределитель тепла и кулер с плоской поверхностью

Объяснение здесь аналогично первому случаю. Термопаста вновь распределяется по-разному. В отличие от предыдущего случая, что как раз подчёркивалось вторым рисунком в теоретической части, контактные точки поверхности расположены повсюду. На краях прилегание двух поверхностей плотное, термопаста будет из них выдавливаться. С другой стороны, в районе кристалла CPU поверхности не будут соприкасаться, там наблюдается определённый зазор. Выдавленная с периферии термопаста накапливается посередине и заполняет зазор. В результате тепловое сопротивление термопасты в центре увеличивается, что приводит к ухудшению теплопередачи.

Эффект зависит от того, насколько далеко по отношению центру расположены кристаллы. В области нахождения кристалла тепловыделение существенно выше, чем на остальных участках процессора. Следовательно, тепло можно отводить эффективнее, если контакт выполняется в точках с максимальной интенсивностью. И разница в наших тестах составила 0,25 K (1 K - 0,75 K = 0,25 K), что кажется вполне логичным.

Кроме того, следует отметить ещё одну особенность. Во втором тестовом сценарии контактная поверхность между вогнутым распределителем тепла и гладким основанием радиатора (Intel, Socket 1366) оказалась больше, чем в первом случае с плоским процессором и выпуклым основанием кулера (AMD, AM3+). Но разница в результатах между тем увеличилась на 0,25 К, поскольку более важным является тепловое сопротивление основного горячего участка (над кристаллами CPU), а не граничной области. Конечно, тепловая энергия распределяется больше к периферии, эффект немного ослабевает, но полностью не исчезает.