Страница 2: AMD Radeon R7 SSD | В деталях
После вскрытия AMD Radeon R7 SSD можно поговорить об используемых технологиях. Флэш-память внутри вполне логично поставляется Toshiba, в данном случае используется 19-нм флэш-память MLC. Официально она называется "A19 NAND", где "A" обозначает Advanced – второе поколение 19-нм памяти. По сравнению с Vertex 460 контроллер работает на более высокой тактовой частоте и обещает больший прирост производительности. По самому контроллеру сюрпризов нет, используется собственный контроллер OCZ Barefoot 3 (M00). Официально он больше не называется Indilinx, но чип украшает знакомый логотип.
За исключением тактовых частот все три накопителя базируются на одинаковом контроллере и работают с 19-нм флэш-памятью Toshiba, у AMD Radeon R7 используется последнее поколение. Но между тремя моделями есть существенная разница по надёжности и сроку гарантии. Накопитель для массового рынка Vertex 460 получает три года гарантии, у Vector 150 мы получаем пять лет, а у Radeon R7 – четыре года. Срок гарантии четыре года не совсем обычен, ранее мы встречали либо три года, либо пять. По надёжности OCZ Vertex 460 рассчитан на запись 20 Гбайт информации в сутки, Radeon R7 - 30 Гбайт, а Vector 150 – 50 Гбайт в сутки. AMD давно не использует марку ATI для видеокарт, но в случае AMD Radeon R7 SSD более чем очевидно, какой производитель отвечал за разработку. На слайде презентации ниже Radeon R7 SSD отлично встраивается в линейку продуктов OCZ.
Поскольку AMD Radeon R7 SSD разрабатывался OCZ, здесь используется знакомый трюк повышения производительности. Контроллер пытается использовать максимум флэш-памяти в режиме псевдо-SLC. То есть максимальное количество ячеек в любой момент времени будут программироваться только одним битом, что выполняется быстрее, чем программирование ячейки двумя битами. Но в случае описания ячеек как однобитных ёмкость накопителя была бы намного меньше. Поэтому после заполнения определённого объёма данными контроллер уже не может записывать в однобитном режиме, он перестраивает данные, чтобы в ячейки записывались два бита информации, что приводит к падению производительности записи. Затем, если накопитель заполнится, например, наполовину, оставшаяся половина накопителя вновь будет работать в режиме псевдо-SLC. Только когда накопитель будет заполнен почти до максимума, уже не останется ячеек, которые можно будет запрограммировать одним битом, и режим псевдо-SLC уже не будет работать.
Конечно, подобные алгоритмы положительно сказываются на производительности, но возникают вопросы по поводу того, как реализация OCZ сказывается на надёжности, всё же данные приходится относительно часто реорганизовывать. Тот же подход Samsung с накопителем 840 EVO и технологией TurboWrite кажется более изящным и не менее эффективным - Samsung резервирует фиксированную часть флэш-памяти как кэш псевдо-SLC, и в него накопитель кэширует записываемую информацию, что позволяет получить более высокую пиковую производительность. Технология nCache от SanDisk использует схожий подход, она расширяет иерархию кэша между DRAM-кэшем и флэш-памятью MLC кэшем псевдо-SLC, но кэширует меньше данных по сравнению с технологией Samsung TurboWrite. Зато в случае nCache не требуется затем сортировать данные.