Страница 1: Тест и обзор: Samsung SSD 850 EVO с новой памятью 3D NAND (48 слоев)

teaserНесколько месяцев назад Samsung объявила следующий шаг в производстве памяти NAND, а именно память 3D NAND с 48 слоями. Теперь эта память впервые увидела свет в накопителях Samsung SSD 850 EVO, причем корейский производитель не стал менять название. И обновленные SSD постепенно заменят старые модели на рынке. В статье мы рассмотрим, какие изменения произошли в новой памяти, как они повлияют на производительность, и как 850 EVO покажет себя по сравнению с конкурентами.

В прошлом не раз бывали случаи, когда производители меняли используемую память, но оставляли прежнее название продукта. Такой шаг не всегда положительно сказывался на производительности, поэтому компании зачастую его не афишировали. Samsung решила пойти иным путем, предоставив нам образцы новых Samsung SSD 850 EVO, чтобы мы смогли оценить разницу.

Вместо оранжевой надписи на упаковке красуется синяя V

Увеличение слоев памяти 3D V-NAND дает привычные преимущества: более высокая плотность хранения данных приводит к уменьшению площади на кристалле, что снижает себестоимость производства. При переходе на новый техпроцесс мы получаем схожий эффект, но меньшие структуры могут привести к негативным последствиям, таким как снижение надежности и производительности. К счастью, данные эффекты не должны прослеживаться в случае простого увеличения числа слоев – техпроцесс остается прежним.

В таблице приведены технические спецификации накопителя:

Производитель и модельSamsung SSD 850 EVO v3
Цена 7,1 тыс. рублей (250 Гбайт)
84,90 евро (250 Гбайт)
12,1 тыс. рублей (500 Гбайт)
147,90 евро (500 Гбайт)
25,1 тыс. рублей (1 Тбайт)
288 евро (1 Тбайт)
Сайт производителя www.samsung.com
Технические спецификации  
Форм-фактор 2,5"
Интерфейс SATA
Протокол AHCI
Прошивка EMT02B6Q
Ёмкость (информация производителя) 250 Гбайт, 500 Гбайт, 1 Тбайт
Ёмкость (после форматирования) 233, 466, 932 GiB
Варианты ёмкости 120 GB*, 250 GB, 500 GB, 1 TB, 2 TB**
Кэш-память 512 MB LPDDR3 (250, 500 GB)
1 GB LPDDR3 (1 TB)
Контроллер Samsung MGX
Чипы памяти Samsung 48 Layer TLC 3D-NAND
Скорость чтения (информация производителя) 540 Мбайт/с
Скорость записи (информация производителя) 520 Мбайт/с
   
Гарантия производителя Пять лет
Комплект поставки -

* с 32-слойной NAND ** со второго квартала с 48-слойной NAND