Производители полупроводниковых чипов продолжают работать над новыми технологиями и техпроцессами. Начиная с 7-нм техпроцесса будет использоваться глубокий ультрафиолет (EUV), который сам по себе несет много проблем, связанных с процессом фотолитографии, материалами для легирования и дизайном транзисторов. Однако на форуме Imec стартап Unisantis представил новую ячейку памяти SRAM, использующую принцип транзистора с окружающим затвором.
Планарные транзисторы имеют обычную двумерную структуру, хотя у современных транзисторов FinFET добавляется третье измерение, но идеала пока не достигнуто. Примерно 30 лет назад один из основателей Unisantis разработал концепцию транзистора с окружающим затвором (Surrounding Gate Transistor или GAA - Gate-All-Around).
Поскольку затвор полностью окружает канал, последний называют нанопроводом. Все полупроводниковые компании, в том числе Samsung, TSMC, Intel или IBM, сегодня работают над подобными технологиями. Исследователям удалось достичь расстояние между GAA 50 нм, сами транзисторы можно отнести к 5-нм техпроцессу. Но подобные транзисторы могут применяться только для памяти SRAM, для логики они пока не подходят. В последнем случае лучшим вариантом по-прежнему остаются транзисторы FinFET - по крайней мере, до техпроцесса 5 нм. А с техпроцесса 3 нм и меньше транзисторы GAA уже смогут конкурировать с FinFET.
В феврале Samsung представила ячейку 6T-256 Мбит SRAM с площадью 0,026 мм². Samsung выпускает данную память по 7-нм техпроцессу с помощью EUV. Ячейки SRAM у Unisantis будут иметь размер всего от 0,0205 мм² до 0,0184 мм², то есть даже меньше.
Впрочем, компании еще предстоит перенести технологию из лаборатории на массовое производство. Сегодня полупроводниковой индустрии приходится нелегко, поскольку переход на новые техпроцессы дается все сложнее. Intel столкнулась с проблемами 10-нм техпроцесса, хотя Samsung довольно успешно внедрила 7-нм техпроцесс, как и TSMC. Впрочем, Intel обещает для своего 7-нм техпроцесса то же самое.