Samsung проводит третий форум US Samsung Foundry Forum, на котором компания представляет последние инновации и планы развития. Неслучайно Samsung упомянула и транзисторы с окружающим затвором, мы недавно опубликовали новость, посвященную подобным 5-нм транзисторам в ячейках памяти SRAM.
Samsung планирует следующие техпроцессы: 7LPP (7nm Low Power Plus), 5LPE (5nm Low Power Early), 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus) и 3GAAE/GAAP (3nm Gate-Around Early/Plus).
7LPP будет внедрен во второй половине 2018. Он станет первым техпроцессом Samsung с глубоким ультрафиолетом EUV. Samsung наверняка разрабатывает новые SoC, которые будут производиться по технологии 7 нм. Первые продукты на них появятся в первой половине 2019.
5LPE станет первой инновацией после 7LPP. Samsung ожидает увеличения плотности расположения транзисторов и снижения энергопотребления. 4LPE/LPP, по всей видимости, станет последним техпроцессом Samsung на транзисторах FinFET. Размер структуры вроде бы изменится незначительно, но в процентах мы получаем существенный прогресс. Да и технически проблем придется решить немало. 4LPE/LPP тоже должен увеличить плотность расположения транзисторов и общую производительность чипа. Samsung надеется как можно быстрее перейти с 5LPE на 4LPE/LPP.
Название 3GAAE/GAAP уже указывает на революционное изменение - использование транзисторов с окружающим затвором GAA. Они станут следующим шагом после транзисторов FinFET. Транзисторы GAA призваны вновь расширить пределы возможного. Samsung называет свою версию транзисторов GAA MBCFET (Multi-Bridge Channel FET).
Если верить Samsung, корейская компания намеревается охватить разные рынки, выпуская как крупные чипы HPC, так и мелкие MCU (микроконтроллеры) в качестве контрактного производителя. В ближайшие месяцы можно ждать первых 7-нм чипов. Дата внедрения 5-, 4- и 3-нм техпроцесса пока неизвестна.