Samsung ведет борьбу с замедлением развития техпроцессов. В прошлом году TSMC и Samsung объявили о пробном выпуске чипов по технологии 7 нм, начиная с этого года обе компании будут производить 7-нм FinFET-чипы. Следующим шагом является внедрение технологии очень глубокого ультрафиолета EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography).
Уже сейчас Samsung анонсировала массовое производство с 7-нм технологическим процессом 7LPP, но только некоторые стадии производства будут использовать EUV-литографию. Тем не менее, этот шаг должен позволит усовершенствовать кристаллы во многих областях.
По сравнению с 10LPE, 7LPP может снизить энергопотребление до 50%. Чипы с прежней частотой и сложностью смогут увеличить производительность на 20%. В то же время можно увеличить плотность размещения элементов на чипе. Samsung говорит об увеличении плотности на 40%.
Samsung создала соответствующее производственное предприятие в Fab S3 в городе Хвасон в Южной Корее. Ожидается, что оно будет выпускать 1500 пластин в день. Для этого будет использоваться сканер ASML Twinscan NXE: 3400B EUVL мощностью излучения 280 Вт. Тем не менее, только около 20% масок станут подвергать EUVL, а остальные по-прежнему будут экспонироваться в стандартном глубоком ультрафиолете DUV (Deep Ultraviolet).
Fab S3 в настоящее время еще строится. При стоимости строительства в размере около 4,5 млрд. долларов его планируется завершить в 2019 году. Начало массового производства планируется в 2020 году. Помимо Samsung, производство по технологии 7LPP будет доступно всем партнерам Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE ). К ним относятся Ansys, ARM, Cadence, Mentor, SEMCO, Synopsys и VeriSilicon.
В ближайшие годы доля продукции, произведенной с использованием EUVL, будет расти. После частичного внедрения новой технологии все маски в производстве рано или поздно будут переделаны для EUV-литографии. Это нужно для последующего перехода к производству с технологическим размером в 5, 4 и 3 нм.