Два крупнейших контрактных производителя TSMC и Samsung анонсировали новые техпроцессы независимо друг от друга. TSMC улучшит 7-нм техпроцесс, после чего перейдет на 6- и 5-нм технологию. Samsung акцентирует 5-нм технологию, но здесь важно не название, а число транзисторов на квадратный миллиметр, то есть плотность упаковки транзисторов на чипе.
Samsung и TSMC продолжат частично использовать 7-нм компоненты для 6-нм и 5-нм техпроцессов. Технология глубокого ультрафиолета EUV будет задействоваться лишь частично. Все это позволит снизить затраты, но вместе с тем обеспечит улучшения техпроцесса.
Если верить TSMC, 6-нм техпроцесс позволяет на 18% увеличить плотность упаковки транзисторов. С техпроцессом 7 нм (N7+) возможна плотность 96,27 млн. транзисторов на мм², 6-нм техпроцесс (N6) дает 114,2 млн. транзисторов/мм². TSMC также ожидает получить 171,3 млн. транзисторов на мм² с 5-нм производством (N5). TSMC начнет пробное производство 6-нм чипов в первом квартале 2020. Как обещает полупроводниковый гигант, клиенты компании смогут легко перенести чипы с 7- на 6-нм производство.
Samsung, с другой стороны, уже анонсировала опытное производство чипов по 5-нм техпроцессу. Переход на 5 нм позволит увеличить плотность упаковки на 25%. Вместе с тем энергопотребление можно будет снизить на 20%, либо увеличить производительность на 10%.
Samsung тоже обещает простой и легкий переход клиентов с 7-нм на 5-нм техпроцесс. Samsung предлагает клиентам соответствующие инструменты Process Design Kit (PDK), Design Methodologies (DM) и Electronic Design Automation (EDA) еще с конца 2018.
Если верить Samsung, компания также работает с некоторыми клиентами по внедрению 6-нм техпроцесса. И некоторые чипы уже выпущены в инженерных вариантах.