На прошлой неделе появилась информация о продолжающихся проблемах с 5-нм техпроцессом Samsung, затем слайды с Foundry Forum 2021 добавили путаницы. Судя по ним, техпроцесс 3GAE (3 nm Gate All Around Early) полностью исчез из планов компании.
Наши коллеги Anandtech задали Samsung вопрос и получили ответ. Судя по всему, Samsung планирует производить кристаллы по техпроцессу 3GAE, но не планирует предлагать его всем клиентам.
"As for the 3GAE process, we've been in discussion with customers and expect to mass-produce 3GAE in 2022".
Под "клиентами" здесь может подразумеваться, например, собственное подразделение Samsung LSI по производству SoC, которое разрабатывает процессоры Exynos. Вероятно, у Samsung все же остаются планы по переходу на 3GAE в 2022 году, за ним последует 3GAP (3 nm Gate All Around Plus) год спустя, то есть в 2023 году, как можно видеть по свежим слайдам. Получат ли сторонние клиенты, помимо собственного подразделения LSI, доступ к новым техпроцессам, станет известно в ближайшие месяцы.
3GAE и 3GAP обеспечат прирост производительности на 35%, снижение энергопотребления на 50% и уменьшение структур на 45% по сравнению с 7LPP. Что весьма неплохо для любых чипов. Причем первые тестовые чипы по 3-нм техпроцессу уже получены (стадия tape-out).
На 2022 год запланированы первые процессоры с 3-нм техпроцессом, а также 4 нм. Но здесь речь идет о "младших" SoC, поскольку крупные чипы будут выпускаться по технологиям 6 и 5 нм.
4LPP как промежуточный шаг
Не все чипы можно будет перевести напрямую на 3GAE и 3GAP, да и многое здесь зависит от клиентов. Клиенты, заказывающие чипы по техпроцессу 7LPP, могут сначала перейти на 5LPE и 5LPP. Оба техпроцесса дают существенные улучшения по плотности расположения компонентов и производительности по сравнению с 7LPP.
Следующим важным шагом в технологиях FinFET можно назвать переход Samsung на техпроцесс 4LPE, как было анонсировано ранее. Из новостей можно отметить техпроцесс 4LPP, с которым Samsung планирует улучшить производительность. Существенные изменения по плотности расположения компонентов между 5LPE и 5LPP вряд ли будут. То же самое касается сравнения 3GAE и 3GAP. 4LPP должен стать последним шагом в техпроцессах FinFET с EUV. Затем Samsung полностью переходит на MBCFET (multi-bridge channel field-effect transistors).
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).