> > > > Samsung начнет 2-нм производство в 2025 году

Samsung начнет 2-нм производство в 2025 году

Опубликовано:

samsungНа Samsung Foundry Forum корейский гигант поделился своими планами по производству чипов. Уже в конце 2022 года начнется производство по техпроцессу 3GAE (3 nm Gate All Around Early), как и прогнозировалось ранее. Здесь весьма важна доля выхода годных кристаллов. Судя по всему, 3GAE будет идти на равных с 4-нм техпроцессом на тех же ступенях разработки. А несколькими месяцами позже (2023) будет запущен техпроцесс 3GAP (3 nm Gate All Around Plus).

3GAE и 3GAP позволят дать 35% прирост производительности, на 50% снизить энергопотребление и на 45% - размер структур по сравнению с 7LPP. Первые 3-нм чипы уже были произведены в июне этого года. Samsung во второй половине 2025 планирует запустить техпроцесс 2GA (2 nm Gate All Around). Intel анонсировала на первую половину 2024 техпроцесс Intel 20A, то есть чуть раньше Samsung. Но, как показывает опыт, планы могут меняться. Скорее всего, можно ожидать битву между Intel, Samsung и TSMC за долю на рынке в качестве контрактных производителей и IDM (Integrated Device Manufacturer).

Первые чипы с окружающим затвором Gate All-Around были выпущены по 7-нм техпроцессу 7LPP, сегодня Samsung производит их по 5-нм технологии, но планирует перейти на 4LPE (Low Power Early) и 4LPP (Low Power Plus) в ближайшие месяцы, а уже затем в конце 2022 перейти на 3GAE.

Samsung от 4LPP ожидает, в первую очередь, улучшения производительности. Плотность расположения транзисторов вряд ли существенно улучшится по сравнению с 5LPE и 5LPP. Техпроцессы 4LPP и 4LPE, скорее всего, станут последними с EUV и FinFET. Далее Samsung планирует полностью перейти на MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor).

Чтобы справиться с растущим спросом, Samsung планирует увеличить производственные мощности в Южной Корее и США. Число конвейеров с использованием EUV будет постепенно увеличиваться, то же самое касается и объема производства.

17 нм как связующее звено между планарной технологией и FinFET

За последние месяцы "слабым звеном" стали не high-end техпроцессы, а старые и более крупные технологии. Здесь Samsung видит значительный потенциал, компания нашла связующее звено между 28-нм (back-end-of-line) и 14-нм FinFET (front-end-of-line) техпроцессами в виде 17-нм технологии (17LPV). Samsung утверждает о преимуществе 43% по соотношению цена/производительность. 17-нм чипы показывают на 39% более высокую производительность, либо энергопотребление снижается на 49% при прежней производительности. То есть микроконтроллеры, сенсоры камеры и другие чипы, которые ранее производились по 28-нм технологии, можно перевести на 17LPV, что позволит освободить часть ресурсов Samsung и даст клиентам упомянутые выше преимущества.

Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).

Социальные сети

Ваш рейтинг

Ø Рейтинг: 0

Теги

комментарии (0)

Войдите, чтобы оставить комментарий