В середине июля компания ASML объявила о поставке первой производственной системы High-NA EUV — Twinscan EXE:5200B. Тогда заказчик не назывался. Ранее тестовые версии установки Twinscan EXE:5200 уже были переданы в imec, Intel и, вероятно, TSMC.
Теперь стало известно, что SK Hynix завершила сборку первой серийной Twinscan EXE:5200B на фабрике M16 в Ичхоне. После ввода в строй установка будет использоваться для разработки будущих поколений DRAM.
На данный момент SK Hynix производит память DRAM четвёртого поколения по 10-нм нормам (1anm). В отличие от логических чипов, где индустрия уже движется к узлам 2–3 нм, у DRAM прогресс масштабирования идёт значительно медленнее. Использование High-NA EUV должно стать следующим шагом. По данным SK Hynix, технология позволит добиться 1,7-кратного уменьшения размеров транзисторов и почти трёхкратного роста плотности (×2,9).
Система Twinscan EXE:5200B обеспечивает экспонирование более 175 пластин в час при энергии 50 мДж/см² и стоит около 400 млн евро. В последующие годы серия EXE:5000 будет дополнена новыми версиями, ориентированными прежде всего на увеличение производительности и повышение выхода годных чипов.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).