Samsung Foundry после долгого перерыва поделилась новой информацией о своих планах по развитию контрактного производства. Подобно ежегодному симпозиуму TSMC, компания проводит мероприятие SAFE Forum (Samsung Advanced Foundry Ecosystem) для прессы и инвесторов. Первым местом его проведения в этом году стала Южная Корея, сообщает The Elec.
В прошлом году основное внимание Samsung уделяла техпроцессам SF2P и SF2P+. Изначально оба планировали запустить уже в 2026 году, однако теперь сроки, по всей видимости, сдвинулись на 2027 и 2028 годы соответственно. Также подтвердились ожидания относительно SF2X — этот техпроцесс станет специализированной версией SF2 с оптимизациями для высокопроизводительных вычислений (HPC). При этом Samsung обещает полную совместимость с SF2P и SF2P+, чтобы разработчики могли без существенных изменений переносить проекты чипов на SF2X. Однако сроки запуска SF2X компания пока не раскрывает. Еще в 2024 году Samsung рассчитывала вывести SF2P и SF2X на рынок одновременно.
Любопытно, что в материалах The Elec о SAFE Forum вообще не упоминается SF2Z — первый представитель семейства SF2 и первый техпроцесс Samsung с системой подачи питания с обратной стороны кристалла (Back Side Power Delivery Network, BSPDN).
Несмотря на регулярные переносы сроков в последние годы, Samsung продолжает придерживаться амбициозных планов. Теперь запуск техпроцесса SF1.4+ намечен на 2030 год. Изначально компания рассчитывала освоить его уже в 2027 году, однако довольно быстро стало понятно, что выполнить этот график не удастся.
На прошлой неделе IBM также представила результаты разработки техпроцесса менее 1 нм (7 ангстрем). Как и в случае с другими современными обозначениями техпроцессов, это название уже давно не отражает реальные физические размеры элементов микросхем.
При этом новую дорожную карту развития Samsung на мероприятии, судя по всему, не представила.
Недавно Samsung также рассказала о своих планах по дальнейшему повышению производительности полупроводников с помощью трехмерных стековых транзисторов FET (3D-stacked FET). Подробное сравнение этого подхода с разработками Intel и TSMC компания публиковала ранее.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).