Корейский производитель SK Hynix сегодня объявил новые чипы памяти 16 Гбит DDR4 DRAM, изготавливаемые по техпроцессу 1z нм. Переход на меньший техпроцесс позволил увеличить продуктивность на 27% по сравнению с предыдущим техпроцессом 1y нм. К сожалению, SK Hynix на раскрывает подробностей техпроцесса, а также и то, что подразумевается под "продуктивностью".
Новая память 1z нм DRAM поддерживает скорость передачи до 3.200 Мбит/с, что для интерфейса DDR4 весьма немало. Также SK Hynix указывает на повышение эффективности энергопотребления, поскольку энергопотребление снизилось на 40% по сравнению с чипами памяти предыдущего поколения.
Для увеличения емкости ячеек памяти, важного параметра памяти DRAM, было использовано новое вещество. Но и здесь подробностей нет. Также упоминается и новый дизайн чипов, который позволил увеличить стабильность.
"Память 1Z нм DDR4 DRAM обеспечивает рекордную в индустрии плотность хранения, скорость и эффективность энергопотребления, что позволяет назвать ее лучшим продуктом для растущих требований потребителей, кому требуется DRAM с высокой производительностью/плотностью", сказал Ли Юнгхун (Lee Jung-hoon), глава подразделения 1Z TF DRAM Development & Business. “SK Hynix начнет массовое производство и полномасштабные поставки чипов в следующем году, чтобы удовлетворить рыночный спрос".
SK Hynix планирует расширить техпроцесс 1z нм и на другие сферы. Среди примеров названа память LPDDR5, следующее поколение мобильной DRAM, а также HBM3.