За прошедшие недели все больше производителей комментирует тему памяти DDR5. Она должна выйти как раз в следующем году, компании готовятся начать массовое производство. SK Hynix тоже решила рассказать о собственных планах по производству DDR5, которые во многом совпадают с грядущими стандартами Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC).
SK Hynix фокусируется на двух аспектах: емкость и скорость. Модули DDR5 могут содержать до 32 банков в восьми группах (8x4). Что является удвоением по сравнению с DDR4, где допустимо только 16 банков в конфигурациях 4x4 или 2x8. Длина Burst Length (BL) была удвоена с 8 до 16, что существенно увеличивает пропускную способность памяти. В случае DDR4 во время обновления (Refresh) другие операции не были возможны. DDR5 поддерживает технологию Same Bank Refresh, то есть какие-то банки памяти могут выполнять обновление, в то время как другие банки - какие-либо другие операции.
Модули DDR5 будут поддерживать дополнительные схемы Decision Feedback Equalization (DFE), улучшающие качество сигналов - они снижают отраженные шумы в каналах памяти на высоких частотах. Что довольно важно при использовании большого числа DIMM и каналов DDR5.
Планки DDR5 будут работать от меньшего напряжения. Что положительно скажется на энергопотреблении модулей. Напряжение составит 1,1 В, SK Hynix обещает увеличение эффективности на 20% (энергопотребление в расчете на пропускную способность).
DDR5 будет поддерживать коды коррекции On-Die Error Correction Code (ECC) и Error Check and Scrub (ECS). Они обеспечат внутреннюю коррекцию битовых ошибок DDR5, что снизит себестоимость платформ будущем. А технология ECS будет оповещать host-систему об ошибках, чтобы она могла своевременно отреагировать.
SK Hynix предполагает, что чипы DRAM будут стартовать с емкости от 16 до 24 Гбит. Таким образом, с самого начала емкость планок будет выше, чем сегодня предлагает памяти DDR4. Samsung даже говорит о емкости чипов 32 и 48 Гбит.
Как предполагает SK Hynix, память DDR5 начнет производиться со скоростей 3200 GT/s. Но благодаря улучшениям планки DDR5-3200 будут работать быстрее и эффективнее DDR4-3200. Затем скорость довольно быстро вырастет до DDR5-4800. В своих спецификациях SK Hynix упоминает даже DDR5-8400, но пока неизвестно, когда именно мы до них доберемся.
SK Hynix начнет массовое производство памяти DDR5 в 2020 году.
Экосистема тоже будет подготовлена
В конце февраля Samsung анонсировала старт производства LPDDR5 RAM с емкостью чипов 16 Гбайт (для мобильных устройств). Samsung производит чипы DRAM по технологии экстремально глубокого ультрафиолета (EUV). Micron в январе объявила о старте пробного производства чипов DDR5. Недавно Cadence сообщила о подготовке контроллеров для DDR5-4800.
Что касается чипового гиганта Intel, процессоры Xeon на Sapphire Rapids вполне вероятно получат поддержку DDR5. Cooper Lake и Ice Lake будут поддерживать DDR4. В настольном сегменте Intel по-прежнему планирует использовать DDR4 для процессоров вплоть до Rocket Lake-S. Что касается AMD, процессоры EPYC на основе Genoa (Zen 4) должны первыми получить поддержку DDR5.
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).