Переход на DDR5 призван существенно увеличить пропускную способность и емкость. В том числе ожидаются планки емкостью до 512 Гбайт. Что закроет разрыв современных серверных систем по емкости, поскольку процессоры AMD и Intel поддерживают на сокет до 4 Тбайт памяти DDR, но планки DDR4 на 256 Гбайт практически отсутствуют на рынке. Intel смогла обойти данное ограничение с модулями Optane DC Persistent Memory, на сокет максимальная конфигурация составляет до 6 Тбайт, но в целом память пока что отставала от возможностей систем.
DDR5-7200 с емкостью модулей 512 Гбайт - именно такие планы Samsung ставила в начале 2021. На конференции Hot Chips 33 компания поделилась подробностями насчет того, как именно данная цель будет достигнута. До сих пор Samsung производила память DDR4 с четырьмя слоями общей толщиной 1,2 мм. Слои соединялись между собой сквозными каналами TSVs (Through-Silicon Via). Новую память DDR5 DRAM Samsung упаковывает уже в восемь слоев, что теоретически позволяет удвоить емкость. Более важно, что толщина при этом не удваивается, чипы памяти будут даже тоньше предыдущих вариантов DDR4 с толщиной всего 1 мм.
Такой шаг стал возможным благодаря уменьшению толщины как слоев памяти, так и зазоров между кристаллами. Samsung указывает на уменьшение зазоров между кристаллами на 40%. Что позволило также решить проблему охлаждения слоев памяти. Кроме того, Samsung указывает на улучшенную версию TSV с меньшим количеством ошибок.
Таким образом DDR5 получит увеличение емкости, что не представлялось возможным с DDR4. Также речь идет об увеличении эффективности, поскольку питание планок осуществляется от напряжения 1,1 В, также на модуле есть собственный преобразователь напряжения Power Management Integrated Circuit (PMIC).
Наконец, DDR5 содержит встроенную систему коррекции ошибок (on-die error correction, ODECC), что было неизбежно из-за увеличения сложности производства, как в случае памяти GDDR5X и GDDR6. В итоге вероятность возникновения битовой ошибки Bit Error Rate (BER) уменьшилась на миллион. Впрочем, это касается только хранения данных на планках. Для связи между модулями и контроллером памяти следует использовать ECC, иначе здесь могут возникнуть битовые ошибки. В целом, без ODECC память DDR5 вряд ли появилась в данном виде.
Samsung планирует начать массовое производство модулей DDR5-7200 на 512 Гбайт уже в этом году. Samsung ожидает, что DDR5 превзойдет долю DDR4 уже в 2023/2024 годах. Первые платформы с поддержкой DDR5 выйдут в следующем году, анонсы уже были сделаны ранее, например, Sapphire Rapids (Xeon следующего поколения).
Сегодня Samsung показала планки RDIMM и LRDIMM для серверных систем. Но удвоение емкости ожидается и на потребительском сегменте. Здесь речь идет о модулях UDIMM емкостью 64 Гбайт, хотя конкретных анонсов сделано не было. С подобными модулями двухканальные системы можно оснащать 128 Гбайт, что наверняка понравится многим пользователям.
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).