Intel совместно с дочерней компанией SoftBank — SAIMEMORY — планирует разработку нового типа памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Компании опубликовали соответствующее соглашение о намерениях. Поскольку речь идет о фундаментальных исследованиях в области памяти, проект поддерживается программой Advanced Memory Technology (AMT) R&D, которую курируют Министерство энергетики США и Национальное управление ядерной безопасности при участии национальных лабораторий Sandia, Lawrence Livermore и Los Alamos.
Подробностей о новой технологии пока немного. Известно, что в основе ZAM будут лежать DRAM-кристаллы, а Intel внесет в проект собственную разработку — технологию Next Generation DRAM Bonding (NGDB).
Работы Intel и SAIMEMORY должны стартовать в первом квартале 2026 года. Первые прототипы ожидаются в 2027-м, а коммерческий продукт, согласно текущему плану, может появиться не ранее 2030 года. Таким образом, до появления практических результатов ZAM пройдет еще несколько лет.
Альтернатива HBM
Z-Angle Memory изначально разрабатывается как альтернатива HBM, а ее целевым рынком выступают прежде всего ИИ-ускорители, высокий спрос на HBM для которых в последние годы стал одной из причин резкого роста цен.
ZAM базируется на вертикально стековых DRAM-структурах с проприетарной технологией разводки и соединения «Z-Angle». Название отражает архитектуру: память масштабируется по оси Z, при этом несколько слоев DRAM размещаются друг над другом. Такой подход обеспечивает значительно более высокую плотность хранения данных по сравнению с традиционными плоскими решениями.
Ключевым элементом ZAM является технология соединения слоев DRAM. Вместо TSV и термокомпрессионного бондинга Intel, согласно ранее опубликованной информации, делает ставку на гибридный бондинг с прямыми медь-медь соединениями. В результате кремниевые слои ведут себя как единый монолитный блок, что должно снизить тепловое сопротивление и улучшить теплоотвод. В экосистеме HBM аналогичный подход планируется внедрить лишь с выходом HBM5. В текущих поколениях HBM применяются микробамп-соединения из меди или медно-оловянных сплавов, которые прессуются под воздействием температуры и давления. Метод хорошо отработан, но имеет ограничения по масштабируемости.
Подключение ZAM к вычислительным кристаллам планируется реализовать с помощью EMIB. Аналогичным образом Intel рассматривает EMIB-T как интерфейс для подключения будущей памяти HBM4.
По заявленным характеристикам Z-Angle Memory превосходит HBM сразу по нескольким параметрам. Емкость может быть выше в 2–3 раза, энергопотребление — ниже примерно на 50 %, а стоимость производства — до 60 % ниже. Кроме того, ZAM сочетает более высокую пропускную способность с заметно лучшей энергоэффективностью, что делает эту технологию потенциально привлекательной альтернативой дальнейшей эволюции HBM.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).