Платформа Intel LGA1851 в сочетании с модулями DDR5 CUDIMM уже давно зарекомендовала себя как основа для экстремального разгона памяти. Частоты выше 9000 MT/s сегодня уже не выглядят чем-то необычным, если удачно сочетаются возможности материнской платы, контроллера памяти в процессоре и самих модулей. Тем интереснее результат, которого добилась G.Skill на материнской плате MSI MEG Z890 GODLIKE (тест): новый комплект DDR5 CUDIMM объемом 32 ГБ (2×16 ГБ) успешно прошел стресс-тест на скорости DDR5-9200 при напряжении всего 1,1 В.
Согласно пресс-релизу G.Skill, компания использовала тщательно отобранные микросхемы памяти. В качестве тестовой платформы выступила MSI MEG Z890 GODLIKE — флагманская материнская плата для процессоров Intel LGA1851 с четырьмя слотами DDR5 UDIMM. По словам G.Skill, работа DDR5-9200 на плате с четырьмя слотами памяти встречается значительно реже, чем на специализированных оверклокерских моделях с двумя слотами, таких как MEG Z890 UNIFY-X или ASUS ROG Maximus Z890 Apex.
В системе использовался процессор Intel Core Ultra 7 270K Plus (тест). Был ли он также предварительно отобран, компания не уточняет. Из опубликованного скриншота известно лишь, что использовался инженерный образец (Engineering Sample).
Память работала на частоте 4600 МГц, что соответствует эффективной скорости 9200 MT/s (DDR5-9200). При этом в BIOS был активирован режим Gear 4 вместо более быстрого Gear 2, то есть контроллер памяти работал с соотношением частот 1:4 относительно памяти. Тайминги составили CL74-74-74-148 — весьма расслабленные значения, однако целью теста была не минимизация задержек, а достижение высокой частоты при минимальном напряжении питания.
Особенно примечательно, что напряжение VDD составило всего 1,1 В. Именно такое значение предусмотрено стандартом JEDEC для памяти DDR5. По данным HWINFO64, система работала именно на этом напряжении без дополнительного повышения.
Разумеется, возникает вопрос, каких частот можно было бы добиться при увеличении напряжений VDD и VDDQ. Однако в данном случае G.Skill преследовала другую цель — показать максимальный потенциал памяти при стандартном напряжении 1,1 В.
Не менее интересным остается вопрос появления подобных отборных комплектов памяти в розничной продаже. Если такие модули действительно выйдут на рынок, их цена наверняка окажется весьма высокой.
Уже на следующей неделе G.Skill планирует продемонстрировать систему в работе на выставке Computex 2026 в Тайбэе. Мы также будем работать на выставке и обязательно посетим стенд G.Skill, чтобы узнать дополнительные подробности о новых модулях памяти.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).