Южнокорейский производитель памяти SK Hynix объявил о поставках первых образцов памяти HBM4E. Новые стеки содержат 12 слоев DRAM и обеспечивают емкость 48 ГБ. Скорость передачи данных достигает 16 Гбит/с на контакт, что соответствует пропускной способности до 4 ТБ/с на стек.
По сравнению с HBM4 новая память повышает энергоэффективность на 20 %. Кроме того, тепловое сопротивление удалось снизить на 17 %. Использует ли SK Hynix в этих образцах технологию iHBM с тепловым интерфейсом ICE, пока не уточняется.
Для производства HBM4 и будущей HBM5, включая варианты iHBM, компания применяет технологию корпусирования на уровне пластины (Wafer-Level Packaging) с использованием процесса MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill), который объединяет два этапа производства.
На этапе Mass Reflow (MR) микроконтакты между уложенными друг на друга кристаллами DRAM одновременно нагреваются и припаиваются, формируя электрические соединения TSV внутри стека HBM. Затем технология Molded Underfill (MUF) заполняет промежутки между кристаллами эпоксидным компаундом EMC (Epoxy Molding Compound). Это повышает механическую прочность стека и одновременно улучшает отвод тепла.
Появление HBM4 ожидается уже в этом году вместе с ускорителями AMD Instinct MI400 и платформой NVIDIA Vera Rubin. Интересные изменения затронут и базовый кристалл (Base Die): в будущем его производство во многом перейдет к TSMC, тогда как ранее этим обычно занимались сами производители памяти. Кроме того, в рамках концепции Custom HBM контроллер памяти будет интегрирован непосредственно в базовый кристалл.
Кому именно поставлены первые образцы HBM4E, SK Hynix не раскрывает. Однако одним из первых заказчиков, вероятно, станет NVIDIA. Ожидается, что ускорители поколения Vera Rubin Ultra будут использовать именно HBM4E. В конфигурации с 16 стеками HBM4E объем памяти может достигать 768 ГБ, а суммарная пропускная способность — впечатляющих 64 ТБ/с.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).