> > > > MWC 2014: SanDisk iNAND ускоряет смартфоны и планшеты

MWC 2014: SanDisk iNAND ускоряет смартфоны и планшеты

Опубликовано:

SanDisk-LogoНа выставке MWC 2014 все говорят о новейших смартфонах и планшетах с четырьмя или восемью ядрами, 3 Гбайт оперативной памяти и другими характеристиками производительности. Но за всем этим не следует забывать о вопросе подключения флэш-памяти, которая входит во все эти устройства. За исключением ёмкости производители дают совсем мало информации о флэш-памяти, хотя из сферы настольных ПК и ноутбуков мы знаем, что переход на скоростные SSD значительно сказывается на производительности систем.

SanDisk использовала конференцию Mobile World Congress для представления памяти iNAND. Суть кроется не столько в объёме, сколько в производительности новой памяти с интегрированным контроллером. Конечно, требования мобильных устройств к подсистеме хранения данных не такие высокие, как у домашних ПК или ноутбуков. Но последовательные скорости чтения и записи влияют на производительность системы в целом, как и скорость выполнения операций ввода/вывода. Простая запись данных во встроенную память, когда она почт заполнена, приводит к длительным периодам ожидания или задержкам в повседневной эксплуатации. Требования для памяти смартфонов отличаются от обычных ПК. Многие SoC оснащаются собственным контроллером памяти, который работает с простой памятью NAND. Другие производители опираются на память eMMC, у которой контроллер находится на одном чипе с памятью NAND. Такой же подход выбрала и SanDisk для новой памяти iNAND.

SanDisk iNAND Extreme
SanDisk iNAND Extreme

SanDisk использовала собственную память 2-bit MLC NAND. Двуядерный CPU работает в качестве контроллера, одно ядро фокусируется на операциях с host-системой, второе - на работе с памятью NAND. Двуядерные контроллеры уже довольно давно используются в современных настольных SSD, но в сегменте смартфонов и планшетов они стали появляться только сейчас. Новый накопитель SanDisk iNAND Extreme поддерживает стандарт eMMC 5.0 со скоростью передачи до 400 Мбит/с. Встроенный контроллер и NAND соединены двумя каналами, каждый со скоростью 300 Мбит/с. Также контроллер обеспечивает внутренние операции, такие как сборка мусора, и подобная избыточность хорошо помогает. Чтобы производительность NAND была максимальной даже в компактных габаритах, контроллер работает с памятью не блоками (чтение и запись), а опирается на так называемые "страницы".

SanDisk iNAND Extreme должен обеспечивать скорость работы до 300 Мбайт/с для последовательных операций чтения и до 80 Мбайт/с для последовательных операций записи. Что касается случайных операций чтения, SanDisk указывает 6.000 IOPS, для записи - 3.000 IOPS. Первое время SanDisk будет выпускать накопители iNAND Extreme ёмкостью 16, 32 и 64 Гбайт. Но SanDisk пока не раскрывает информации, когда память iNAND Extreme начнёт использоваться в устройствах, и в каких именно. Но, скорее всего, использование начнётся уже во втором квартале.