Samsung представила в 2014 году второе поколение устройств 3D V-NAND, как раз перед началом выставки Computex. Кристаллы памяти располагаются в виде 3D-структуры, то есть в одном чипе используется несколько слове. У первого поколения использовалось 24 функциональных слоя, у второго поколения их число должно увеличиться до 32. Таким образом, будет увеличена ёмкость в расчете на чип при сохранении прежних расходов на производство. Также размеры отдельных ячеек памяти должны увеличиться, что должно повысить надёжность хранения данных.
Но Samsung пока не объявила, когда на рынок выйдут первые SSD на памяти 3D V-NAND. Вопрос цены тоже остаётся открытым. Ёмкость SSD должна составлять между 128 Гбайт и 1 Тбайт. Массовое производство памяти 3D V-NAND уже началось, если верить Samsung, поэтому объявление продуктов уже не за горами. Но Samsung пока не указывает точные имена семейств SSD.